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    • ?01先進制程的利與弊
    • ?02特色工藝百花齊放
    • ?03國際大廠的特色工藝戰(zhàn)略
    • ?04中國本土晶圓廠看好特色工藝
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中國半導體特色工藝的機會來了

2023/07/07
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作者:暢秋

總體來看,當下的晶圓代工業(yè),有兩類代工廠,一類專注于數(shù)字技術,以滿足行業(yè)對存儲、CPU邏輯芯片的代工需求,這類多采用先進制程工藝,目標是實現(xiàn)更小的節(jié)點尺寸和更高的運算能力,其產(chǎn)品生命周期較短,因為制程節(jié)點在不斷演進。

另一類則是特殊工藝(特色工藝)晶圓代工廠,它們專注于小眾市場。不同于先進制程代工廠,特色工藝技術的差異化是通過技術的多樣性實現(xiàn)的,其制程節(jié)點演進壓力要小得多,這有利于延長產(chǎn)品的生命周期,降低資本密集度。另外,特色工藝代工廠還可以通過碳化硅SiC)和氮化鎵GaN)這類新半導體材料的應用,來拓展硅基技術的極限。

在全球半導體市場,IDM正走在“失寵”的道路上,晶圓代工憑借其高效、靈活的固有特性,越來越吃香。2019年之前,行業(yè)的關注點更多的集中在最先進制程上,但近幾年,隨著中美科技戰(zhàn)升溫,以及疫情對全球電子半導體產(chǎn)業(yè)形成的影響,行業(yè)的關注點開始分散,有越來越多的資源投入到非先進制程,特別是特色工藝上。

?01先進制程的利與弊

之所以說特色工藝的重要性在逐步提升,一個很重要的原因是先進制程的發(fā)展瓶頸越來越凸出。

最先進制程產(chǎn)線多用來制造各種處理器,這些處理器的一個最大特點就是晶體管數(shù)量巨大,少則幾十億個,多則幾百億個。雖然晶體管越多越好,但由于處理器芯片尺寸有限,因此,通過縮小晶體管之間的空間來增加密度,將更多晶體管封裝到芯片中成為關鍵。因此,不斷推出新的先進制程節(jié)點是實現(xiàn)更高晶體管密度的主要途徑。

先進制程工藝不僅能增加晶體管密度,還可以提高時鐘速度和效率,例如,用臺積電5nm制程制造的Ryzen 7000和RX 7000處理器,與其較早的7nm工藝版本相比,可以在相同功率下提供15%的時鐘速度提升,或在相同頻率下減少30%的功耗。直到2000年代中期,隨著制程工藝的演進,頻率和效率的提高還是積極正向的,因為功耗的下降很明顯。

然而,隨著制程工藝演進到10nm以下,特別是最新的3nm節(jié)點,它可以顯著提高邏輯晶體管的密度,但對高速緩存(SRAM)的密度沒有任何改善,而無法縮小緩存是致命的,因為它會限制整體密度的提升,同時,功耗下降越來越不明顯。如果晶圓廠不能持續(xù)提升晶體管密度,在芯片尺寸不斷減小的情況下,晶體管數(shù)量就不能增加,處理器性能也就難以提升。這會形成惡性循環(huán),從而阻礙先進制程技術的演進,特別是未來的2nm和1nm,難度很大。

另外,設計費用的大幅提升,也是阻礙最先進制程普及的一個重要原因。例如,7nm芯片設計成本超過3億美元,華為早些年推出的麒麟980芯片采用了臺積電的7nm制程,麒麟 980是由超過1000名半導體工程師組成的團隊歷時3年時間,經(jīng)歷超過5000次的工程驗證才成功應用的,這期間所花費的成本是絕大多數(shù)芯片企業(yè)承受不起的。而最新的3nm制程的成本更是驚人,據(jù)IBS測算,如果基于3nm制程開發(fā)英偉達GPU的話,設計成本就高達15億美元,據(jù)悉,芯片設計公司要想用臺積電3nm制程制造芯片,其產(chǎn)線上一片晶圓的花費就要25000美元。

后摩爾時代半導體工藝發(fā)展方向

因此,先進制程發(fā)展遇到了瓶頸,這為特色工藝發(fā)展提供了更多機會。

?02特色工藝百花齊放

什么是特色工藝?簡單地說,不按照摩爾定律指定的時間和節(jié)奏縮小工藝節(jié)點的半導體工藝就可稱為特色工藝。從需求來看,特色工藝的市場應有前景廣闊,它可以使更多企業(yè)在各自擅長的領域做精做強,特別是在模擬和模數(shù)混合芯片領域,如MCU、 OSD(Optical-Sensor-Discrete,光電-傳感-分立器件)等,它們對制程工藝的先進性要求較低,是特色工藝應用的主要市場。

與先進制程相比,目前特色工藝在晶圓代工廠的滲透率相對較低,模擬芯片、MCU、分立器件廠商多為IDM,這些廠商在研發(fā)投入和晶圓廠資本開支方面的雙重需求拉低了毛利率等關鍵業(yè)績指標,隨著投入規(guī)模的擴大,這些IDM會將更多易于標準化的產(chǎn)品外包出去,從而推動特色工藝在晶圓代工業(yè)的發(fā)展。

從晶圓代工廠的營收變化情況來看,無論是年度營收還是季度營收,特色工藝代工廠的波動相對較小,這說明該行業(yè)的穩(wěn)定性和客戶的粘性更佳。特色工藝代工廠盈利能力的波動小,主要有兩方面原因:一是需求端的穩(wěn)定使代工廠的經(jīng)營管理更具有可預期性;二是制程工藝的成熟度較高,特色工藝代工廠的設備資本開支和研發(fā)投入規(guī)模相對較小,可以很好地控制成本。

從行業(yè)發(fā)展層面來看,即使是在晶圓代工業(yè)發(fā)達的中國臺灣地區(qū),能夠持續(xù)進行先進制程工藝開發(fā)的廠商也僅剩下臺積電一家,先進與特色工藝的結合才是一個地區(qū)發(fā)展晶圓代工業(yè)并形成綜合競爭力的保障。

那么,特色工藝包括哪些具體類型呢?實際上,微機電系統(tǒng)MEMS),F(xiàn)D-SOI和RF-SOI,嵌入式非易失性存儲器(eNVM),CIS圖像傳感器,功率器件,模擬、電源管理射頻等差異化工藝平臺,BCD工藝平臺,以及以SiC和GaN為代表的新一代化合物半導體工藝等,都可以歸為特色工藝。

?03國際大廠的特色工藝戰(zhàn)略

除了臺積電、三星和中芯國際,多數(shù)晶圓代工廠將發(fā)展重點放在了特色工藝上,典型代表就是聯(lián)電(中國臺灣)、格芯(美國)和X-FAB(歐洲),前兩家已經(jīng)完全拋棄了12nm以下先進制程,將全部資源和精力都投入到成熟制程和特色工藝上,之所以如此,有以下幾點原因:1、提升差異化競爭力;2、更好地滿足客戶需求,很多客戶希望代工廠的投入、發(fā)展方向與它們的技術發(fā)展方向一致,工藝具備足夠的差異化屬性;3、客戶希望從每一代技術中獲得更多價值,充分利用每個技術節(jié)點的投資。

聯(lián)電最近推出的特色工藝包括14nm 14FFC、22nm超低功耗22ULP和超低漏電流22ULL、28nm高性能運算28HPC+制程等,且已進入量產(chǎn)階段。聯(lián)電還為毫米波(mmWave)應用推出了55nm/40nm/28nm工藝平臺。聯(lián)電是晶圓代工業(yè)界第一個用28nm高壓制程開發(fā)并量產(chǎn)OLED面板驅動IC的。RF-SOI方面,90nm制程已量產(chǎn),55nm即將導入量產(chǎn),同時已著手開發(fā)40nm制程RF-SOI技術平臺。

聯(lián)電40nm制程的嵌入式閃存(eFlash)已經(jīng)量產(chǎn),正在進行28nm研發(fā),40nm制程ReRAM已經(jīng)量產(chǎn),22nm的ReRAM技術平臺和22nm的eMRAM制程平臺正在研發(fā)中。此外,該公司還在積極投入GaN功率和微波器件平臺開發(fā)。

X-FAB是德國特色工藝晶圓代工廠,重點關注MEMS和SiC技術。X-FAB是全球唯一一家專注于汽車應用市場的純晶圓代工廠,汽車芯片銷售額約占其總收入的一半。此外,X-FAB可提供MEMS與CMOS的整合工藝,這種技術使客戶能夠開發(fā)智能芯片實驗室(lab on a chip)應用,這是一些包含微系統(tǒng)的微流控組件,用于處理微量液體,如血液,可進行高通量篩選和測試,如病毒檢測或DNA測序。

?04中國本土晶圓廠看好特色工藝

2022年,美國政府通過的“美國芯片法案”規(guī)定,獲得美國國家補貼的公司,不得在中國大陸投資28nm以下制程技術,那之前,美國推出的“實體清單”明文禁止用于1X nm及以下先進制程的美國技術銷往被列入清單的中國大陸企業(yè)。因此,多數(shù)中國晶圓代工廠積極拓展28nm及以上成熟制程技術。

在中國大陸,除了中芯國際,其它晶圓廠都在重點發(fā)展特色工藝,包括排名靠前的華潤微電子、華虹半導體,以及后起之秀中芯集成、粵芯半導體、積塔半導體和增芯等。

華潤微聚焦于功率半導體、智能傳感器智能控制器領域,提供-100V-1500V范圍內的低壓、中壓、高壓MOSFET產(chǎn)品。

華潤微在深圳建設了12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線,一期總投資超220億元,目標是在2024年底實現(xiàn)通線投產(chǎn)。華潤微電子總裁李虹表示,將全力以赴推進深圳12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線工程建設,滿產(chǎn)后將形成年產(chǎn)48萬片12英寸功率器件的生產(chǎn)能力,此外,該產(chǎn)線產(chǎn)品還包括電機驅動、模數(shù)轉換、MCU和光電集成等,重點支持新能源汽車、光伏儲能、物聯(lián)網(wǎng)、傳感器等新興領域的應用。

作為中國大陸特色工藝最具代表性的企業(yè),華虹半導體旗下包含嵌入式非易失性存儲器、功率器件、電源管理和射頻等工藝平臺,其中,嵌入式閃存、電源管理工藝平臺已分別實現(xiàn) 90nm超低漏電工藝和90nm高性能BCD工藝量產(chǎn)。

近兩年,華虹半導體新建的無錫廠產(chǎn)能快速釋放,進一步鞏固了其在中國本土特色工藝領域的地位。無錫晶圓廠主要聚焦在6大平臺,分別是:邏輯&混合信號&射頻,嵌入式非易失性存儲器,NOR Flash,CIS傳感器,功率半導體,以及BCD,這里,BCD是Bipolar-CMOS-DMOS,即能夠在同一芯片上制作Bipolar、CMOS和DMOS器件的單片集成工藝技術,華虹半導體在這方面的發(fā)展速度比較快。

中芯集成是中芯國際的兄弟企業(yè),聚焦特色工藝,優(yōu)勢技術包括MEMS和功率器件,是目前中國本土少數(shù)能夠制造車規(guī)級芯片的晶圓代工企業(yè)之一。中芯集成的功率器件和MEMS 業(yè)務,與中芯國際形成差異化業(yè)務發(fā)展方向,目前,該公司在車載IGBT、高壓IGBT、深溝槽超結MOSFET、射頻MEMS等中高端領域擁有核心技術,也是國內少數(shù)能夠提供全電壓范圍工藝平臺IGBT的晶圓代工企業(yè)。

粵芯半導體是近幾年發(fā)展起來的晶圓代工廠,是粵港澳大灣區(qū)首家且唯一進入量產(chǎn)階段的中國本土12英寸晶圓廠。目前,粵芯正在進行三期項目建設,目標是在2024年投產(chǎn)。

積塔半導體的特色工藝制程為0.35μm~40nm,覆蓋功率器件、通用模擬電路、MCU、CIS圖像傳感器、嵌入式存儲等制造平臺,重點是汽車應用,可以說是為汽車芯片量身打造的工藝產(chǎn)線。

增芯是2022年12月在廣州新建的12英寸晶圓特色工藝產(chǎn)線,聚焦MEMS傳感器。這是中國本土一條重要的12英寸MEMS制造生產(chǎn)線,按照計劃,該項目將于2024上半年通線,2025年底滿產(chǎn),月產(chǎn)能2萬片晶圓。

據(jù)悉,增芯吸引了10家MEMS芯片設計企業(yè)與其簽訂合作協(xié)議,共同定制工藝設備、開發(fā)特色工藝技術,包括加速度傳感器、慣性傳感器、磁傳感器、基因測試芯片、微流控芯片、硅基麥克風芯片等。

除了以上這些企業(yè),還有很多中國本土企業(yè)在大力發(fā)展特色工藝,從目前的情況來看,該產(chǎn)業(yè)發(fā)展方興未艾,潛力巨大,值得期待。

 

 

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