半導體制造業(yè)提供溫度管理解決方案的領導者——ERS electronic，現(xiàn)推出全新高功率溫度卡盤系統(tǒng)。該技術針對高端 CPU、GPU 和高并行性 DRAM 器件應用的晶圓測試，可在-60°C 至+200°C 溫度范圍內對 Device Under Test (DUT)進行精確且強大的溫度控制。

在對復雜的嵌入式處理器（如用于機器學習、人工智能或數(shù)據(jù)中心的 CPU 和 GPU）和高并行性測試（如 DRAM 和 NAND）等應用進行晶圓溫度針測時，需要耗散大量的功率以避免溫度過高。全新 ERS 高功率溫度卡盤系統(tǒng)可在 -40°C 的溫度條件下，在 300 毫米的卡盤上耗散高達 2.5 kW 的功率，這讓測試單個芯粒以及全晶圓接觸測試成為可能。作為附加選項，該系統(tǒng)還具備業(yè)界最佳的溫度均勻性，在 -40°C 時均勻性可穩(wěn)定在 ±0.2°C，在 -20°C 至 +85°C 之間甚至可達到±0.1°C，因此非常適合傳感器測試。

系統(tǒng)中使用的溫度卡盤由多個部分組成，還可通過 ERS 專利 PowerSense 軟件進行獨立控制。當向晶圓施加功率時，軟件會立即檢測到熱量的增加并迅速做出反應，冷卻受影響的區(qū)域。為了實現(xiàn)迅速散熱并達到溫度高均勻性，此次推出的新型溫度卡盤系統(tǒng)配備了一個液體而非空氣的冷卻機。

"對于高功率溫度卡盤系統(tǒng)，我們有意使用工程液體，因為它們能夠滿足終端應用的功率耗散要求。至于其它主流晶圓測試，我們仍傾向于使用空氣作為冷卻劑，"ERS electronic 首席技術官 Klemens Rei nger 說："我們的解決方案之所以與眾不同，不僅是因為它在低溫條件下具備的卓越散熱性能，還因為它可以達到無與倫比的溫度均勻性：±0. 1°C。我們在繼續(xù)開發(fā)該系統(tǒng)的其他功能， 這些功能將進一步改善耗散性能和對分區(qū)的監(jiān)控，從而全面實現(xiàn)動態(tài)控制。

"ERS 的高功率溫度卡盤系統(tǒng)解決了高端處理器、DRAM 和 NAND 器件晶圓測試過程中出現(xiàn)的問題，"上海晶毅電子科技有限公司副總裁王亮先生說，"隨著對這些集成電路的需求不斷增長，我們預計中國客戶將會對該系統(tǒng)非常感興趣，這也是為什么我們已經(jīng)在與 ERS 共享的、位于上海的實驗室里安裝了該系統(tǒng)，以便演示和供客戶評估的原因。

高功率溫度卡盤系統(tǒng)現(xiàn)已接受訂購。