2023年11月，國產(chǎn)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備研發(fā)制造企業(yè)上海陛通半導(dǎo)體能源科技股份有限公司圓滿完成近5億元新一輪融資。

本輪融資獲得君桐資本、金浦創(chuàng)新、上?？苿?chuàng)集團、浙江發(fā)展資產(chǎn)、賽富管理、三元資本等知名產(chǎn)業(yè)及投資機構(gòu)的大力支持，力合資本、長江國弘等多家老股東追投。本輪融資后，陛通半導(dǎo)體將持續(xù)加大技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)投入，積聚更多優(yōu)秀人才，推出更多國產(chǎn)高端薄膜沉積設(shè)備品種，加快產(chǎn)業(yè)化布局。

陛通半導(dǎo)體成立于2008年，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)支持為一體的高端國產(chǎn)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的高技術(shù)創(chuàng)新企業(yè)。公司始終強調(diào)持續(xù)創(chuàng)新的產(chǎn)品研發(fā)能力以及與客戶的緊密合作，至今已經(jīng)擁有73項授權(quán)發(fā)明專利，共計165項其他原創(chuàng)專利，包括國際專利。

目前公司自研的12吋PECVD、SACVD、磁控濺射PVD、射頻濺射PVD、反應(yīng)離子濺射PVD、Thermal ALD產(chǎn)品已經(jīng)陸續(xù)進入國內(nèi)各種類型、各種規(guī)模晶圓廠并成為主力設(shè)備。同時，6-8吋磁控濺射PVD的高產(chǎn)能厚鋁工藝、背金工藝、熱鋁填孔槽工藝被大量應(yīng)用于國內(nèi)化合物半導(dǎo)體SiC、GaN、IGBT、MOSFET等功率芯片制造。

200mm PVD

厚鋁/背金物理氣相沉積設(shè)備 Venus 2200

300mm PVD

物理氣相沉積設(shè)備 Venus 3210

300mm CVD

等離子增強/次常壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備Jupiter 3120

300mm ALD

原子層沉積設(shè)備 Mercury 3110

UV Cure

高端紫外線固化設(shè)備 Aegis UV3