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Vishay推出固體模壓型片式鉭電容器增強(qiáng)電子引爆系統(tǒng)性能

2024/07/03
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Tantamount?器件設(shè)計(jì)牢固,漏電流(DCL)低至0.005CV,具有嚴(yán)格的測(cè)試規(guī)范,確保嚴(yán)苛環(huán)境下可靠起爆

日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出專為電子引爆系統(tǒng)設(shè)計(jì)的新型系列TANTAMOUNT?表面貼裝固體模壓型片式鉭電容器---TX3。Vishay Sprague TX3系列器件機(jī)械結(jié)構(gòu)牢固,漏電流(DCL)低,具有嚴(yán)格的測(cè)試規(guī)范,性能和可靠性優(yōu)于商用鉭電容器和MLCC。

日前發(fā)布的電容器DCL僅為0.005CV,與其他電容技術(shù)相比,鉭電容器能量密度高,可提供更高能量確保正確起爆,是采礦和拆除應(yīng)用遠(yuǎn)程引爆系統(tǒng)的理想選擇,滿足可靠放電的要求。該器件的鉭陽極技術(shù)與Vishay業(yè)界出色的介質(zhì)成型技術(shù)相結(jié)合,確保嚴(yán)苛環(huán)境下穩(wěn)定的電氣性能。

為保證可靠性,TX3系列電容器的測(cè)試規(guī)范比標(biāo)準(zhǔn)商用器件更加嚴(yán)格。每個(gè)產(chǎn)品均采用標(biāo)準(zhǔn)篩選法進(jìn)行100%浪涌電流測(cè)試,并對(duì)關(guān)鍵電氣特性進(jìn)行二次額外篩查,以消除批次間誤差。為提供可靠解決方案,器件容芯和引線框采用硬塑料樹脂封裝。與MLCC相比,電容器符合MIL-STD-202測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),具有更高的抗沖擊(100 g)和抗震動(dòng)(20 g)能力。

TX3系列器件采用B(EIA 3528-21)和C(EIA 6032-28)封裝,容值范圍10 μF至100 μF,額定電壓16 V至25 V,容差低至± 10 %。器件+25 °C下ESR為0.700 W至2.3 W,紋波電流為0.438 A,工作溫度高達(dá)+125 °C。TX3系列器件采用無鉛(Pb)端子,符合RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn),無鹵素。

新型固鉭電容器現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為10至12周。

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器件型號(hào) 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊(cè) ECAD模型 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 參考價(jià)格 更多信息
JANTX2N2329 1 Silicon Transistor Corporation Silicon Controlled Rectifier, 2.512A I(T)RMS, 400V V(DRM), 1 Element, TO-5
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