天眼查顯示，杭州士蘭微電子股份有限公司近日取得一項(xiàng)名為“MEMS器件及其制造方法”的專利，授權(quán)公告號(hào)為CN109665488B，授權(quán)公告日為2024年7月19日，申請(qǐng)日為2018年12月29日。

本申請(qǐng)公開了一種MEMS器件及其制造方法。該制造方法包括：形成CMOS電路;以及在CMOS電路上形成MEMS模塊，CMOS電路與MEMS模塊連接，用于驅(qū)動(dòng)MEMS模塊，其中，形成MEMS模塊的步驟包括：形成保護(hù)層;在保護(hù)層中形成犧牲層;在保護(hù)層與犧牲層上形成第一電極，并形成第一電極與CMOS電路之間的電連接，第一電極覆蓋犧牲層;在第一電極上形成壓電層，壓電層與犧牲層的位置對(duì)應(yīng);在壓電層上形成第二電極，并形成第二電極與CMOS電路之間的電連接;在第一電極上或保護(hù)層形成到達(dá)犧牲層的通孔;以及經(jīng)由通孔除去犧牲層形成空腔。該方法制造的MEMS器件靈敏度高同時(shí)又顯著降低制造成本和改善工藝兼容性。