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芯片內(nèi)部如何實現(xiàn)過欠壓功能?

2024/08/12
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在前面通過推送《芯片內(nèi)部如何實現(xiàn)VREF參考穩(wěn)壓源?》實現(xiàn)了芯片內(nèi)部VREF功能,今天分享一下芯片內(nèi)部是如何實現(xiàn)過欠壓保護。

UC3842芯片系列的數(shù)據(jù)手冊如下:

從上面的描述可知,芯片在工作時,需要電壓達到16V,但是電壓跌落到10V后,芯片就不能工作。實現(xiàn)思路如下:當電壓上升高于16V,產(chǎn)生一個信號,來表示芯片正常工作;當芯片電壓跌落到10V,產(chǎn)生相反的信號,來關(guān)斷芯片內(nèi)部的模塊。

很明顯要實現(xiàn)上面的功能,使用滯回比較器就可以。滯回比較器的窗口電壓為6V,上限電壓為16V,下限電壓為10V,則參考電壓為13V。

仿真電路實現(xiàn)方案:VCC設(shè)定為18V,從0V開始上升,保持一段時間后,開始下降,模擬電路上下電的過程,觀察比較器輸出信號。

仿真波形:

仿真結(jié)果說明,當電壓低于16V,VCC_ON的信號一直為低電平,當電壓高于16V,VCC_ON為高電平,代表芯片進入正常的工作模式;當電壓低于10V時,VCC_OFF為高電平,代表芯片未正常工作,實現(xiàn)欠壓保護功能。

如果使用上述的信號,就能實現(xiàn)數(shù)據(jù)手冊中描述的電流


仿真電路:

仿真結(jié)果:

從上面的數(shù)據(jù)可以看出,實現(xiàn)了數(shù)據(jù)手冊中描述的功能。

兩種方案均能模擬芯片拉電流的結(jié)果,和數(shù)據(jù)手冊要求一致。

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