SK海力士11月21日宣布，已開始量產全球最高321層1Tb（Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存，預計明年上半年供貨。

SK海力士表示，“2023年6月，我們公司已經(jīng)量產并向市場供應了上一代最高水平的238層NAND產品，而這一次，我們是第一個推出超過300層的NAND，突破技術極限。我們將通過向客戶提供產品來響應市場需求?！?/p>

在開發(fā)該產品的過程中，SK海力士通過引入高生產效率的“3-Plug”工藝技術克服了堆疊的局限性。

該技術涉及分三個階段執(zhí)行插塞過程，然后通過優(yōu)化的后續(xù)過程將三個插塞電連接。在此過程中，開發(fā)了低應變材料，并引入了插頭之間的自動對準校正技術。

此外，該公司工程師將上一代238層NAND的開發(fā)平臺應用到321層NAND上，最大限度地減少工藝變化，與上一代相比，生產率提高了59%。

這款321層產品與上一代產品相比，數(shù)據(jù)傳輸速度提高了12%，讀取性能提高了13%。此外，數(shù)據(jù)讀取功率效率提高了10%以上。SK海力士計劃通過321層NAND積極應對人工智能的低功耗、高性能新市場，逐步擴大使用范圍。

SK 海力士（NAND 開發(fā)）副總裁 Jeongdal Choi 表示：“通過率先量產300層或以上NAND，我們在瞄準 AI存儲市場（例如面向AI數(shù)據(jù)中心和端側AI的SSD，我們將跨越成為‘全棧AI內存提供商’，不僅在以HBM為代表的DRAM領域，而且擁有完整的超高性能內存產品組合?！?/p>