日，存儲大廠美光、三星紛紛披露最新市況。美光方面披露將投資21.7億美元擴大其DRAM內存生產，近期其也公布了2025財年第一季度（2024年9月至2024年11月）的業(yè)績報告，該季營收較為亮眼，但美光對于下一季度的預測，體現了其對存儲市場的隱憂，美光表示NAND閃存市場正遭遇前所未有的挑戰(zhàn)；另外三星電子方面也將調整DRAM未來研發(fā)策略。

從總體市況看，目前，多家存儲廠商正在將生產重點進一步集中至高附加值存儲產品，如HBM、DDR5、LPDDR5、CXL，或企業(yè)級固態(tài)硬盤（eSSDs）等產品上。

美光、三星披露DRAM新動態(tài)

美光將投資21.7億美元擴大美國廠DRAM內存生產

1月1日，美國弗吉尼亞州州長格倫?楊金表示，美光計劃投資21.7億美元擴建其位于弗吉尼亞州馬納薩斯的半導體工廠。該項目將對該設施進行升級，以生產用于工業(yè)、汽車、航空航天等應用的特種DRAM存儲器。此外，美光還有望獲得由弗吉尼亞州經濟發(fā)展伙伴機構（MEI Commission）批準的最高達7000萬美元的專項資金。

值得注意的是，近期美光剛剛宣布獲得了聯邦政府依據《芯片與科學法案》（CHIPS and Science Act）提供的2.75億美元資金，用于升級其位于馬納薩斯的長壽命DRAM制造工廠，該筆資金還將助力美光將面向汽車行業(yè)的DRAM生產線從中國臺灣地區(qū)遷回美國本土。

目前，美光尚未詳細說明具體的工廠升級計劃，以及此次擴建將為工廠帶來多少額外的生產制造能力。通常而言，用于工業(yè)、汽車、航空航天和國防等領域的長壽命DRAM內存產品的生產規(guī)模相對較小，因此相關特種內存制造工廠的規(guī)模也并不龐大。

另外美光近期在披露其最新財報時表示，美光已與新加坡政府已達成協(xié)議，將在新加坡建設先進的HBM封測設施，以支持AI時代的增長需求，并滿足未來NAND制造長周期需求規(guī)劃。該項目將從2027年起大幅擴張美光在先進封測環(huán)節(jié)的產能基礎。

對于2025財年的資本支出，美光財報顯示，其預期約為140億美元（上下浮動5億美元），主要用于支持HBM的產能建設、先進包裝設施擴充、研發(fā)投資以及新廠建設等。該公司已與美國商務部達成協(xié)議，最高可獲61億美元的《芯片與科學法案》相關資金支持，用于在愛達荷州與紐約州的先進DRAM制造工廠項目。

三星電子調整DRAM研發(fā)策略

據外媒近日消息，三星電子已開始建設其10nm第7代DRAM（1d DRAM）測試線，以為三星電子開發(fā)10nm第8代DRAM（1e DRAM）做準備?？紤]到三星電子的DRAM開發(fā)路線圖，預計該規(guī)劃仍處于非常早期階段。

據悉，三星電子目前正在量產10nm第5代DRAM（1b DRAM），其電路線寬約為12.54nm。三星電子計劃從明年初開始在P4工廠引入半導體設備，生產10納米級第六代DRAM（1c DRAM），目前正在加速提高良率，目標是在明年5月之前獲得1c DRAM的內部量產批準（PRA）。此外，三星電子從2024年第四季度開始在平澤P2工廠建設10納米級第七代（1d）DRAM測試線，該生產線預計將于明年第一季度全面建成。

業(yè)界人士披露，三星電子的產品開發(fā)策略或發(fā)生了變化，在經過該公司最新的組織及人事調整后，三星電子正在積極鼓勵技術發(fā)展。在DRAM領域，三星電子正在開發(fā)4F2VCT DRAM和3D DRAM等多種技術，以應對下一代DRAM市場，并且1e DRAM也是其中之一。

與4F2VCT DRAM或3D DRAM不同，1e DRAM與目前的產品沒有結構變化，因此具有無需大規(guī)模設施投資（CAPEX）的優(yōu)勢。如果三星電子在1d DRAM之后推出1e DRAM，預計將顯著降低CAPEX和生產成本。一旦三星電子選擇先量產1e DRAM，VCT DRAM的量產預計將推遲到2020年代末。

消費市場隱憂

美光預期NAND增長不及預期

財報顯示，美光當季實現營收87.1億美元，較上一季度的77.5億美元與去年同期的47.3億美元均有大幅躍升，同比增長84%，環(huán)比增長12%。美光該份財報數據的最大亮點就在于美光數據中心業(yè)務收入首次超過整體收入的50%，同比增長400%。據悉，美光科技的HBM收入，較前一財季幾乎翻倍，同時公司預計HBM將為美光科技在2025財年創(chuàng)造數十億美元的收入。美光科技總裁兼首席執(zhí)行官（CEO）Sanjay Mehrotra強調：“這一趨勢具有轉型意義，我們對于HBM在行業(yè)中的領導地位以及對未來幾年的發(fā)展路線圖充滿信心?！?/p>

在數據中心固態(tài)硬盤（SSD）業(yè)務方面，美光亦創(chuàng)造了季度營收新高，并在數據中心與整體SSD市場均取得市占率提升。并且據美光12月20日最新消息顯示，美光已開始與客戶進行6550 ION NVMe SSD的認證。這是全球速率領先的60TB數據中心SSD，也是業(yè)界首款E3.S及PCIe 5.0的60TB SSD。

美光表示，數據中心的熱浪還不足以抵消消費電子市場低迷的影響，按照美光CEO Sanjay Mehrotra的說法，雖然有AI拉動存儲市場數據中心業(yè)務的增長，但占據更大市場份額的智能手機、PC消費電子產品依舊疲軟，過去一年的復蘇整體低于行業(yè)預期。

按產品劃分的銷售額比例，DRAM約為64億美元，NAND約為22億美元。就DRAM而言，ASP（平均售價）升至高個位數，但就NAND而言，則跌至低個位數。

美光預計下一季度（2024年12月至2025年2月）的銷售額將較上季度大幅下滑，至77億美元至81億美元。這一預測低于目前市場普遍預期的89.9億美元。每股收益預測為1.33美元至1.53美元，低于股市共識的1.92美元。

美光表示之所以下調明年初的業(yè)績預期，是因為美光預計數據中心對DRAM和NAND的需求將持續(xù)增長，但預計PC和汽車等部分行業(yè)的需求將相對較低。尤其是NAND業(yè)務目前呈現的疲軟態(tài)勢。美光將2025財年的NAND位總量（產能增長率）從之前的10%中增幅下調至10%低增幅，其中消費類SSD庫存持續(xù)調整被認為是主要因素。

相應地，美光設施投資政策也將重點關注尖端DRAM和HBM（高帶寬存儲器）的轉換投資。2025財年的總投資規(guī)模預計為135億至145億美元。美光表示，“我們正在減少對NAND設施的投資，并謹慎管理NAND工藝過渡的速度”，“我們將優(yōu)先考慮能夠支持DRAM和HBM長期需求增長的投資?！?/p>

2024年11月，存儲市場就釋放出傳統(tǒng)NAND、DDR4等存儲產品或被減產的消息，具體減產措施上，三星、鎧俠擬于2025年開始對NAND進行減產，預計依照市場狀況進行分階段減產。SK海力士則逐步降低DDR4傳統(tǒng)DRAM生產比重，從而將有限產能轉向人工智能用存儲器及先進DRAM產品。

從市場情況看，目前服務器DRAM需求穩(wěn)定且呈增長趨勢，隨著云計算和數據中心需求的增長，包括AWS、Meta、Azure、Google、百度、HPE、Dell、阿里云等CSP（云服務提供商）科技巨頭持續(xù)投資服務器的推動，DDR5等芯片和內存模組的采用情況也在逐步上升。與此同時，由于個人電腦需求下降等因素，PC DRAM芯片的銷售有所停滯。

NAND方面，綜合行業(yè)多方消息顯示，2023年主要的NAND生產線利用率下降至50％之后，在2024年中期產能利用率曾恢復到80%~90%。而至2024年三四季度，市場現貨交易價格呈向弱趨勢，產能利用率也逐步下降。目前市場上除大容量NAND工藝外，通用NAND產品的需求仍然較低，這促使企業(yè)根據市場情況進一步調整利用率。

據TrendForce集邦咨詢最新調查，2025年第一季NAND Flash供貨商將面臨庫存持續(xù)上升，訂單需求下降等挑戰(zhàn)，平均合約價恐季減10%至15%。DRAM市場看，2025年第一季進入淡季循環(huán)，其中，一般型DRAM（Conventional DRAM）的跌幅預估將擴大至8%至13%，若計入HBM產品，價格預計下跌0%至5%。

目前，多家存儲廠商正在將生產重點進一步集中至高附加值存儲產品，如HBM、DDR5、LPDDR5、CXL，或企業(yè)級固態(tài)硬盤（eSSDs）等產品上。