盡管海力士?2025?年?Q1?財報尚未正式發(fā)布（Hynix?定于?4?月?24?日公布第一季度業(yè)績并召開電話會議）。

DS投資證券預測SK海力士第一季度銷售額為17.6萬億韓元，營業(yè)利潤為6.9萬億韓元（353億元人民幣）。就營業(yè)利潤而言，這一數(shù)字比現(xiàn)有共識（市場平均預期）6.5萬億韓元高出5%。?結(jié)合行業(yè)趨勢與公司動態(tài)，從以下維度預判其表現(xiàn)。

1.核心增長動力：HBM?需求爆發(fā)與產(chǎn)能擴張

HBM市場份額鞏固：Counterpoint?數(shù)據(jù)顯示，海力士2025年Q1 DRAM市占率達36%，首次超越三星（34%），其中?HBM在DRAM銷售額中的占比提升至45%，毛利率超過?60%。

產(chǎn)能加速釋放：為滿足英偉達、AMD?等客戶對HBM3E的需求，海力士將2025年資本支出計劃提升?30%至29?萬億韓元（約合?210?億美元），重點用于M15X?工廠建設(shè)，預計2025年底HBM產(chǎn)能將翻倍至每月?8?萬片晶圓。

技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢：海力士已完成12層HBM3E的英偉達的認證，計劃?2025年Q3量產(chǎn)，其性能較8層產(chǎn)品提升?50%，單價溢價達?30%。

2.傳統(tǒng)業(yè)務(wù)：供需失衡與庫存壓力

DRAM價格分化：受AI?服務(wù)器需求拉動，DDR5價格環(huán)比上漲?5%-8%，但PC和筆電市場用DDR4?價格持續(xù)下跌，整體DRAM均價環(huán)比微降?2%。

NAND業(yè)務(wù)承壓：企業(yè)級SSD需求增長（環(huán)比?+ 15%）部分抵消消費級NAND疲軟，但?NAND?晶圓價格仍環(huán)比下跌?3%-5%，毛利率預計維持在?25%-30%。

庫存去化進展：盡管HBM庫周轉(zhuǎn)天數(shù)降至30以下，但傳統(tǒng)?DRAM?和?NAND?庫存仍需?2-3?季度才能回歸健康水平，Q1可能計提部分存貨減值。

AI需求主導。HBM、AI?芯片等高端產(chǎn)品成為增長核心，而傳統(tǒng)存儲與消費電子芯片面臨價格壓力。技術(shù)迭代加速。DDR5滲透率提升（預計?2025?年達?50%）、HBM?堆疊層數(shù)突破、3D NAND?密度升級將重塑行業(yè)競爭壁壘。