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對比美國政府的半導體研發(fā)計劃,中國集成電路大基金能學到點什么?

原創(chuàng)
2018/08/07
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繼 33 年前美國推出 Sematech 計劃之后,美國人現(xiàn)在開始著手一項新的半導體研發(fā)計劃,該計劃和 Sematech 同樣重要。

1985 年,日本人在存儲器制造技術和半導體市場份額上雙雙超過美國,相比之下,今天來自中國的威脅就不是那么迫切而直接了。

但是,如果中國人真正采取進攻性的行動,美國當前的電子復興計劃(ERI)將會起到恰到好處的反制作用。

美國人通常情況下都很聰明,他們給那些充滿聰明才智的家伙提供微不足道的資助 - 幾百萬美金,讓他們執(zhí)行一些看起來相當古怪的科技計劃。

比如,他們就曾經(jīng)向 Symetrix、ARM 和美國應用材料公司提供了 670 萬美金,用于開發(fā)相關 RAM。

還有,他們給伊利諾伊大學、格羅方德和雷神公司撥款 8300 萬美金,用于開發(fā)基于 MRAM 的處理器。

奇怪的是,他們給英特爾資助了 450 萬美金,用于開發(fā)可重新配置的處理器,還給高通 200 萬美金干同樣的事情。一般人都想知道,為什么一家市值 6000 億美金和一家市值 3000 億美金的公司需要這種微不足道的資金支持?需要美國政府出資誘導它們進行國家認為有意義的研發(fā)?

ERI 計劃已經(jīng)向大約 40 個項目撥款 3.2 億美金,這和中國試圖支出幾千億美金尋求收購少數(shù)存儲器芯片公司形成了鮮明對比。

而且,在這 3.2 億美金的資助項目中中,還包括 6100 萬美金,資助使用碳納米管(CNT)基場效應晶體管(FET)開發(fā) 3D SoC 的技術。

這是一個令人興奮、雄心勃勃同時又略顯瘋狂的技術,但是,隨著許多主流技術逐步成熟走向市場,這個行業(yè)可能需要一些瘋狂的想法。

3D SoC 的外觀如下圖所示。

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