與非網(wǎng) 9 月 20 日訊，9 月 19 日在深圳舉辦的中國閃存技術峰會上，長鑫存儲副總裁、未來技術評估實驗室負責人平爾萱博士進行了《DRAM 技術趨勢與行業(yè)應用》的演講。

平爾萱博士表示，隨著數(shù)據(jù)量的增加，數(shù)據(jù)處理能力就需要相應的加強，因此需要更強大的 CPU，同時存儲器的數(shù)據(jù)容量、讀寫速度也需要加強。因此近年來對 DRAM 的要求也在持續(xù)提高。

在此次會議上，平爾萱博士對奇夢達 DRAM 也有提及。他表示，在 DRAM 技術的演進過程中，曾經(jīng)的 DRAM 巨頭奇夢達提出的埋入式電柵三極管概念給整個產(chǎn)業(yè)帶來了巨大的貢獻。

DRAM 技術在發(fā)明之后的幾十年里，經(jīng)歷了從平面結構向空間爭取表面積的溝槽式電容及堆疊式電容的架構。

而奇夢達 DRAM 技術也是利用空間，將三極管的性能提升，這種提升隨著線寬的減少越來越重要。此外，近代 DRAM 產(chǎn)品也都沿用了這個概念。

長鑫的技術來源已經(jīng)不是秘密，此前在 GSA+Memory 存儲峰會上，長鑫存儲的董事長兼 CEO 朱一明發(fā)表了《中國存儲技術發(fā)展與解決方案》主題演講，提到了長鑫的 DRAM 內存技術來源，主要就是已破產(chǎn)的奇夢達公司，獲得了一千多萬份有關 DRAM 的技術文件及 2.8TB 數(shù)據(jù)，在此基礎上改進、研發(fā)自主產(chǎn)權的內存芯片，耗資超過 25 億美元。

奇夢達已經(jīng)破產(chǎn)多年，他們的內存技術實際上停留在了前幾代的水平，平爾萱博士稱長鑫已經(jīng)借助先進的設備將奇夢達 46nm 工藝水平的內存芯片推進到了 10nm 級別。

不過公開報道中沒有說明平爾萱博士所說的 10nm 級別到底是什么水平，理論上 20nm 之后的都可以叫做 10nm 級，但三星是在 20nm、18nm 之后發(fā)展了 1Xnm、1Ynm、1Znm，從 1Xnm 工藝才開始稱作 10nm 級內存。

結合之前的報道，長鑫公司今年底會量產(chǎn) 19nm 工藝、8Gb 核心的 DDR4 內存芯片，不知道這個內存是否就是平爾萱博士所說的 10nm 級內存。

不論是 19nm 還是其他工藝的內存，總體來說國內公司如果能在年底量產(chǎn) 10nm 級別的內存，起點還是非常高的，與國際先進水平的差距也就 2-3 年的樣子，這個水平相比其他芯片的差距就小太多了。

在談到 DRAM 技術未來發(fā)展時，平爾萱博士表示，DRAM 是有極限的，通過改進可以將極限推遲，例如導入 EUV 及 HKMG 三極管以縮小線寬及加強外圍電路性能。此外，EUV 主要是針對陣列，外圍線路的增強及微縮也是近來 DRAM 技術發(fā)展的另一個機會。

平爾萱博士也強調，繼續(xù)推進 DRAM 技術的發(fā)展，還需要在新材料、新架構上進行更多探索，也需要加強與其他企業(yè)的合作?；仡欉^去幾十年的 DRAM 發(fā)展，證明 IDM 是發(fā)展 DRAM 的必然選擇，而這正是長鑫存儲從一開始建立就堅持的。

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