日前，長鑫存儲（CXMT）和 WiLAN Inc. 聯(lián)合宣布，長鑫存儲與 WiLAN Inc. 合資子公司 Polaris Innovations Limited 有關(guān)達成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議。依據(jù)專利許可協(xié)議，長鑫存儲從 Polaris 獲得大量奇夢達（Qimonda）的 DRAM 技術(shù)專利的實施許可。此專利許可和專利采購協(xié)議中所包括的交易金額等商業(yè)秘密條款在此不予披露。
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Polaris 于 2015 年 6 月以 3000 萬歐元（約合 2 億元人民幣）的價格從英飛凌（Infineon）收購奇夢達 7000 多項專利和申請，包括與 DRAM、FLASH 存儲器、半導體工藝、半導體制造、光刻（lithography）、封裝、半導體電路和存儲器接口（Memory Interfaces）相關(guān)的技術(shù)，其中包括約 5000 種美國專利和申請。截至目前，7000 多項專利和申請中，已頒發(fā)的專利的平均剩余壽命約為 4 年。
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這是長鑫存儲繼 2019 年 5 月宣布獲得奇夢達一千多萬份有關(guān) DRAM 的技術(shù)文件（約 2.8TB 數(shù)據(jù)）后，再次宣布獲得奇夢達的專利許可。
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長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明表示，兩份協(xié)議標志著，在完善知識產(chǎn)權(quán)組合、進一步強化技術(shù)戰(zhàn)略和保障 DRAM 業(yè)務運營方面，長鑫存儲采取了新舉措。長鑫存儲將繼續(xù)通過自主研發(fā)以及與 WiLAN 等國際伙伴的合作，不斷增加在半導體核心技術(shù)和高價值知識產(chǎn)權(quán)方面的積累。
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奇夢達的前身是西門子（Siemens）半導體部門，1999 年西門子半導體部門獨立成為英飛凌科技，2006 年 5 月英飛凌存儲業(yè)務部門分拆成立奇夢達。
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2006 年奇夢達財年銷售收入為 49 億歐元，是當時世界第二大存儲器制造商。產(chǎn)品包括 DRAM、圖形 DRAM、移動 DRAM 和 FLASH 閃存。
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奇夢達是存儲產(chǎn)業(yè)界最先實際轉(zhuǎn)換使用 12 英寸晶圓技術(shù)生產(chǎn) DRAM 的供應商，2006 年 9 月成功研制 75 納米深溝槽技術(shù)；2008 年 58 納米深溝槽技術(shù)投產(chǎn)。由于 2008 年金融危機和半導體價格的大幅下跌，2009 年奇夢達經(jīng)歷了財務困難和最終破產(chǎn)，但很有價值的知識產(chǎn)權(quán)在 2014 年被英飛凌收購。
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芯思想研究院的報告中稱，2008 年奇夢達在 IEDM2008 大會上發(fā)表的論文《6F2 buried wordline DRAM cell for 40nm and beyond》中提出 46 納米級的 6F2 buried wordline 技術(shù)，制造出了最小尺寸單元為 0.013mm2 的產(chǎn)品，buried wordline 技術(shù)可以形成低電阻互連和陣列晶體管的金屬柵極，文中還提到，陣列器件可以縮小到 30 納米而不會影響其性能。其實 buried wordline 和現(xiàn)在的主流技術(shù)堆疊式異曲同工。

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芯思想研究院認為，此次從 Polaris 獲得奇夢達的專利許可，再次表明長鑫存儲建立了嚴謹合規(guī)的研發(fā)體系，將進一步助力長鑫存儲開發(fā) DRAM 關(guān)鍵技術(shù)，強化長鑫存儲在業(yè)界的競爭地位。
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