2020 年 1 月 18 日，湖北省半導體三維集成制造創(chuàng)新中心在武漢揭牌，這是我國三維集成制造領(lǐng)域首個省級創(chuàng)新中心。湖北省半導體三維集成制造創(chuàng)新中心的成立，標志著以國家存儲器基地為核心，國家先進存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、湖北省半導體三維集成制造創(chuàng)新中心、湖北省智能芯片技術(shù)創(chuàng)新中心為主體的芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新體系更加完善。
 
湖北省制造強省建設領(lǐng)導小組辦公室負責人表示，創(chuàng)新中心是湖北省落實中央“制造強國、網(wǎng)絡強國”建設重大部署，加強半導體制造創(chuàng)新平臺建設，提升半導體產(chǎn)業(yè)基礎能力和產(chǎn)業(yè)鏈水平，應對國際競爭的重大舉措。期間組織專家認真評估，批準長江存儲公司和武漢新芯公司為主體，在全國率先創(chuàng)建省級創(chuàng)新中心。湖北省半導體三維集成制造創(chuàng)新中心自籌備開始就對照國家級制造創(chuàng)新中心建設要求，高標準推進共性技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)業(yè)綜合服務、成果轉(zhuǎn)化育成等三大平臺建設工作。
 
創(chuàng)新中心與中科院微電子所等單位形成緊密合作，構(gòu)建國內(nèi)領(lǐng)先的三維集成制造領(lǐng)域創(chuàng)新聯(lián)合體，旨在突破混合晶圓鍵合、多晶圓堆疊、異質(zhì)晶圓堆疊等關(guān)鍵共性技術(shù)，為三維集成電路領(lǐng)域提供服務。
 
創(chuàng)新中心還與北京大學、清華大學、復旦大學、南京大學、華中科技大學、湖北大學、湖北工業(yè)大學、湖北省半導體行業(yè)協(xié)會等單位在人才培養(yǎng)、知識產(chǎn)權(quán)、產(chǎn)業(yè)孵化等方面開展全方位合作，共建產(chǎn)業(yè)生態(tài)。
 
創(chuàng)新中心還將著力推進半導體工程化技術(shù)研發(fā)，探索三維集成制造技術(shù)的首次商業(yè)化應用，與國內(nèi)外半導體企業(yè)建立廣泛深入合作，不斷加強行業(yè)影響力和輻射帶動效應，全力爭創(chuàng)國家級創(chuàng)新中心。

同日還舉行了國家存儲器基地項目（一期）銀團貸款簽約儀式。國家存儲器基地項目（一期）銀團貸款項目總投資 121.9 億美元，由國開行牽頭組建，參團行為交行、農(nóng)行、建行、郵儲銀行等，人民幣銀團貸款總額 134 億元，為長江存儲發(fā)展注入強勁動力。

而在 2020 年 1 月 12 日，湖北省“兩會”召開首場新聞發(fā)布會，湖北省政協(xié)委員、長江存儲科技有限責任公司副董事長楊道虹出席發(fā)布會并介紹了長江存儲的情況。
 
楊道虹表示，國家存儲器基地項目經(jīng)過 3 年多的建設，取得了階段性成果。2019 年，國家存儲器基地項目基于自主知識產(chǎn)權(quán)存儲芯片架構(gòu)技術(shù)，研發(fā)生產(chǎn)的 64 層三維閃存產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)，多種類型產(chǎn)品已在國內(nèi)主要客戶進行驗證，并實現(xiàn)小批量銷售。國家存儲器基地產(chǎn)品研發(fā)進展順利，更先進的三維閃存產(chǎn)品研發(fā)也取得階段性突破，進一步縮短了與國際龍頭企業(yè)的技術(shù)差距。
 
楊道虹強調(diào)，當前以及今后一段時間，長江存儲的核心任務就是推動產(chǎn)能爬坡提升，盡早達成月產(chǎn)能 10 萬片，按期建成 30 萬片 / 月產(chǎn)能，提升國家存儲器基地的規(guī)模效應，帶動全省集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。未來，將布局新型存儲器、特種存儲器、物聯(lián)網(wǎng)芯片（5G 芯片）、智能芯片產(chǎn)品的研發(fā)，增強核心競爭力。

楊道虹還表示，武漢新芯近期主要推動二期擴產(chǎn)項目建設，為國家存儲器基地提供配套；未來，武漢新芯將在現(xiàn)有存儲工藝、三維集成特種工藝及邏輯工藝平臺基礎上，面向需求量巨大的物聯(lián)網(wǎng)、人工智能與 5G 市場，創(chuàng)新發(fā)展具有特色的存儲工藝，建成國內(nèi)物聯(lián)網(wǎng)芯片（5G 芯片）領(lǐng)導型企業(yè)。