MOS 管的工作原理

增強型 MOS 管的漏極 D 和源極 S 之間有兩個背靠背的 PN 結(jié)。當柵 - 源電壓 VGS=0 時，即使加上漏 - 源電壓 VDS，總有一個 PN 結(jié)處于反偏狀態(tài)，漏 - 源極間沒有導電溝道(沒有電流流過)，所以這時漏極電流 ID=0。

此時若在柵 - 源極間加上正向電壓，即 VGS>0，則柵極和硅襯底之間的 SiO2 絕緣層中便產(chǎn)生一個柵極指向 P 型硅襯底的電場，由于氧化物層是絕緣的，柵極所加電壓 VGS 無法形成電流，氧化物層的兩邊就形成了一個電容，VGS 等效是對這個電容充電，并形成一個電場，隨著 VGS 逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在這個電容的另一邊就聚集大量的電子并形成了一個從漏極到源極的 N 型導電溝道，當 VGS 大于管子的開啟電壓 VT(一般約為 2V)時，N 溝道管開始導通，形成漏極電流 ID，我們把開始形成溝道時的柵 - 源極電壓稱為開啟電壓，一般用 VT 表示。

控制柵極電壓 VGS 的大小改變了電場的強弱，就可以達到控制漏極電流 ID 的大小的目的，這也是 MOS 管用電場來控制電流的一個重要特點，所以也稱之為場效應管。