硬件型號(hào)：RisymAO3400

系統(tǒng)版本：半導(dǎo)體系統(tǒng)

場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)有：開啟電壓UT （MOSFET)、夾斷電壓UP （JFET）、飽和漏極電流IDSS （JFET）、直流輸入電阻RGS、跨導(dǎo)Gm和最大漏極功耗。

1、開啟電壓UT （MOSFET）

通常將剛剛形成導(dǎo)電溝道、出現(xiàn)漏極電流ID時(shí)對(duì)應(yīng)的柵一源電壓稱為開啟電壓，用UGS（th）或UT表示。開啟電壓UT是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)。當(dāng)柵一源電壓UGS小于開啟電壓的絕對(duì)值時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通。

2、夾斷電壓UP （JFET）

當(dāng)UDS為某一固定值（如10V），使ID等于某一微小電流（如50mA）時(shí)，柵一源極間加的電壓即為夾斷電壓。當(dāng)UGS＝UP時(shí)，漏極電流為零。

3、飽和漏極電流IDSS （JFET）

飽和漏極電流IDSS是在UGS =0的條件下，場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)生預(yù)夾斷時(shí)的漏極電流。IDSS型場(chǎng)效應(yīng)管所能輸出的最大電流。

4、直流輸入電阻RGS

直流輸入電阻RGS是漏一源短路，柵一源加電壓時(shí)柵一源極 之間的直流電阻。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管：RGS》107ΩMOS管：RGS》109～1015Ω。

5、跨導(dǎo)Gm

漏極電流的微變量與柵一源電壓微變量之比，即gm＝△ID/△UGS。它是衡量場(chǎng)效應(yīng)管柵一源電壓對(duì)漏極電流控制能力的一個(gè)參數(shù)。gm相當(dāng)于三極管的hFE。

6、最大漏極功耗

最大漏極功耗PD＝UDSID，相當(dāng)于三極管的PCM。