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GD3160,用于SiC MOSFET和IGBT的高級柵極驅(qū)動器

2023/04/25
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GD3160,用于SiC MOSFET和IGBT的高級柵極驅(qū)動器

GD3160是一種高級柵極驅(qū)動器,專為硅碳化(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管IGBT)而設計。以下是關于GD3160的一些特點:

  1. 高速驅(qū)動能力:GD3160具有高速開關能力,能夠快速控制和驅(qū)動SiC MOSFET和IGBT的柵極。這樣可以實現(xiàn)更高的開關頻率和響應速度,提高系統(tǒng)的性能和效率。
  2. 全面的保護功能:該驅(qū)動器提供全面的電路保護功能,包括過壓保護、欠壓保護、過流保護和過溫保護等。這些保護機制有助于確保設備和系統(tǒng)的安全運行,并防止?jié)撛诠收虾蛽p壞。
  3. 寬電壓工作范圍:GD3160能夠適應不同的電源電壓需求,通常具有寬廣的工作電壓范圍,以滿足各種應用的需要。
  4. 接口靈活性:該驅(qū)動器通常具有多種輸入和輸出接口選項,使其能夠與不同的控制電路和系統(tǒng)集成。這種靈活性有助于簡化設計和集成過程。
  5. 高可靠性:GD3160經(jīng)過精心設計和優(yōu)化,具有高可靠性和穩(wěn)定性。它經(jīng)過嚴格的測試和驗證,以確保在各種環(huán)境條件下的可靠運行。

GD3160是一種專為SiC MOSFET和IGBT而設計的高級柵極驅(qū)動器。通過提供高速驅(qū)動能力、全面的保護功能和靈活的接口選項,它可以增強功率電子系統(tǒng)的性能和可靠性。

 

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器件型號 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊 ECAD模型 風險等級 參考價格 更多信息
MMBT3904,215 1 Nexperia MMBT3904 - 40 V, 200 mA NPN switching transistor@en-us TO-236 3-Pin

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$0.11 查看
MCR72-8TG 1 onsemi Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifier - SCR, TO-220 3 LEAD STANDARD, 50-TUBE
$1.06 查看
SDR0403-120ML 1 Bourns Inc General Purpose Inductor, 12uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 1816, ROHS COMPLIANT

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恩智浦

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恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起

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