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掃碼加入AFT18P350-4S2LR6 RF功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)手冊(cè)
RF功率LDMOS晶體管 N通道增強(qiáng)模式側(cè)向MOSFET 此63瓦對(duì)稱(chēng)多爾蒂射頻功率LDMOS晶體管設(shè)計(jì)用于覆蓋1805至1880 MHz頻段的蜂窩基站應(yīng)用。
特點(diǎn)：
| 器件型號(hào) | 數(shù)量 | 器件廠商 | 器件描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | ECAD模型 | 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) | 參考價(jià)格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BT131-600,412 | 1 | NXP Semiconductors | BT131-600 |
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$0.19 | 查看 | |
| CRCW06030000Z0EC | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 0ohm, Surface Mount, 0603, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
|
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$0.1 | 查看 | |
| SXH-001T-P0.6N | 1 | JST Manufacturing | Connector Accessory, 0.0512in Min Cable Dia, 0.0748in Max Cable Dia, Contact, Phosphor Bronze, |
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$0.04 | 查看 |
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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。收起
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