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Littelfuse電源半可能的故障模式按包應(yīng)用說明

2024/01/03 作者：力特奧維斯Littelfuse

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Littelfuse電源半可能的故障模式按包應(yīng)用說明

由于IGBT模具的結(jié)構(gòu)，壓包式IGBT對壓力和靜電放電(ESD)都敏感。器件上的非均勻夾緊或過夾緊壓力可能導(dǎo)致硅的直接損壞或器件操作能力的惡化。其次，由于MOSFET 柵極結(jié)構(gòu)，IGBT對ESD很敏感。在操作設(shè)備時，如果不采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施，可能會由于不受控制的靜電放電/感應(yīng)高壓對設(shè)備造成災(zāi)難性的損壞。

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PLED6UQ12	1	Littelfuse Inc	Silicon Surge Protector,		$0.36	查看
IHLP6767GZER680M11	1	Vishay Intertechnologies	General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 68 uH, COMPOSITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD, CHIP, 6767, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT	ECAD模型下載ECAD模型	$5.1	查看

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在從消費電子產(chǎn)品到車輛和工業(yè)設(shè)施的使用電能的應(yīng)用中，Littelfuse 產(chǎn)品一只是重要的組件。他們提供業(yè)界最廣泛、最深入的電路保護產(chǎn)品組合，并在功率控制和檢測領(lǐng)域擁有不斷發(fā)展的平臺。作為其加速組織增長和戰(zhàn)略并購公司戰(zhàn)略的一部分，他們正不斷向相鄰市場擴張。這些市場包括功率半導(dǎo)體、重型開關(guān)、磁性、光學(xué)、機電和溫度傳感器；并提供安全控制和電力分配產(chǎn)品。