本文討論了在半橋結(jié)構(gòu)下SiC MOSFET自由器件實現(xiàn)的優(yōu)化。介紹了用SiC MOSFET開關(guān)實現(xiàn)的多自由度器件的動態(tài)特性。比較了SiC MOSFET體二極管和SiC肖特基勢壘二極管(SBD)在開爾文源連接和無開爾文源連接下的開關(guān)器件的性能。本文旨在確定SiC MOSFET的主體二極管是否是MOSFET高速開關(guān)的限制因素。
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SiC MOSFET中自由器件實現(xiàn)的優(yōu)化
本文討論了在半橋結(jié)構(gòu)下SiC MOSFET自由器件實現(xiàn)的優(yōu)化。介紹了用SiC MOSFET開關(guān)實現(xiàn)的多自由度器件的動態(tài)特性。比較了SiC MOSFET體二極管和SiC肖特基勢壘二極管(SBD)在開爾文源連接和無開爾文源連接下的開關(guān)器件的性能。本文旨在確定SiC MOSFET的主體二極管是否是MOSFET高速開關(guān)的限制因素。
器件型號 | 數(shù)量 | 器件廠商 | 器件描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | ECAD模型 | 風險等級 | 參考價格 | 更多信息 |
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P409CE104M250LH101 | 1 | KEMET Corporation | RC Network, Isolated, 100ohm, 630V, 0.1uF, Through Hole Mount, 2 Pins, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT |
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暫無數(shù)據(jù) | 查看 | |
VS-50RIA120S90 | 1 | Vishay Intertechnologies | Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, TO-65, 2 PIN |
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暫無數(shù)據(jù) | 查看 | |
284506-2 | 1 | TE Connectivity | 11A, MODULAR TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK |
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$1.34 | 查看 |
在從消費電子產(chǎn)品到車輛和工業(yè)設(shè)施的使用電能的應(yīng)用中,Littelfuse 產(chǎn)品一只是重要的組件。他們提供業(yè)界最廣泛、最深入的電路保護產(chǎn)品組合,并在功率控制和檢測領(lǐng)域擁有不斷發(fā)展的平臺。作為其加速組織增長和戰(zhàn)略并購公司戰(zhàn)略的一部分,他們正不斷向相鄰市場擴張。這些市場包括功率半導體、重型開關(guān)、磁性、光學、機電和溫度傳感器;并提供安全控制和電力分配產(chǎn)品。
在從消費電子產(chǎn)品到車輛和工業(yè)設(shè)施的使用電能的應(yīng)用中,Littelfuse 產(chǎn)品一只是重要的組件。他們提供業(yè)界最廣泛、最深入的電路保護產(chǎn)品組合,并在功率控制和檢測領(lǐng)域擁有不斷發(fā)展的平臺。作為其加速組織增長和戰(zhàn)略并購公司戰(zhàn)略的一部分,他們正不斷向相鄰市場擴張。這些市場包括功率半導體、重型開關(guān)、磁性、光學、機電和溫度傳感器;并提供安全控制和電力分配產(chǎn)品。收起
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去合作力特于1927年于美國伊利諾伊州芝加哥正式成立。如今,力特已經(jīng)在行業(yè)中建立了廣泛和全面的電路保護產(chǎn)品系列和產(chǎn)品線,是世界領(lǐng)先的電路元器件供應(yīng)商及電路保護品牌。