STM32WB 系列微控制器旨在最大限度地減少所需的外部組件數(shù)量，以確保最佳 RF 性能。

本文檔詳細介紹了 Bluetooth?低功耗應(yīng)用的材料清單（BOM）。

QFN48 封裝用作參考，但對其有效的考慮可輕松擴展到其他封裝。

SMPS 和 LDO 配置

STM32WB 系列微控制器基于 Arm?(a)內(nèi)核。

在這些器件上所實現(xiàn)的電源管理（參見 www.st.com 上提供的數(shù)據(jù)手冊）嵌入了強大的開關(guān)模式電源（SMPS），以在電源電壓高于 2 V 時提高電源效率，否則將使用 LDO 配置。

VDD > 3 V 時的 LDO 配置

此配置僅適用于寄存器 DBGMCU_IDCODE 中 REV_ID = 0x2001 的 STM32WB55Vx 器件。

HSE 微調(diào)

STM32WB MCU 使用 HSE 振蕩器來產(chǎn)生 RF 時鐘，必須對該組件進行微調(diào)。使用了內(nèi)部電容，無需外部部件。

RF 匹配

RF 有一個獨特的 RX/TX 引腳，該接口為單端接口，因此無需外部巴倫。此外，帶內(nèi)預(yù)濾波有助于減少外部元件。

阻抗匹配和諧波抑制分別需要一個由分立元件組成的外部 PI 濾波器以及一個陶瓷濾波器。天線需要另一個匹配網(wǎng)絡(luò)。為優(yōu)化 BOM 和性能穩(wěn)定性，可使用內(nèi)部無源器件（IPD）來替換這些濾波器。