磁致電阻效應(yīng)（magneto-resistive effect）是指在外加磁場下，材料內(nèi)部的電子運(yùn)動狀態(tài)和電學(xué)性質(zhì)會發(fā)生變化，從而導(dǎo)致材料的電阻率隨著磁場大小、方向、溫度等因素而變化的現(xiàn)象。磁致電阻效應(yīng)廣泛應(yīng)用于磁存儲器、傳感器、讀寫頭等領(lǐng)域。

1.磁致電阻效應(yīng)是什么

磁致電阻效應(yīng)是材料的電阻率隨著外加磁場大小、方向、溫度等因素的變化而變化的現(xiàn)象。磁致電阻效應(yīng)可分為長大磁性磁致電阻（GMR）和巨磁電阻（TMR），其中GMR主要應(yīng)用于硬盤驅(qū)動器等領(lǐng)域，而TMR則應(yīng)用于磁存儲器。

2.磁致電阻效應(yīng)的原理是什么

磁致電阻效應(yīng)的原理是基于自旋運(yùn)動的電子輸運(yùn)理論，即當(dāng)外加磁場改變自旋極化狀態(tài)時，導(dǎo)體材料中的自由電子的自旋會發(fā)生變化，從而影響了材料的電學(xué)性質(zhì)。這種效應(yīng)可以通過反鐵磁體、互補(bǔ)金屬等復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)來放大，進(jìn)而應(yīng)用于實(shí)際領(lǐng)域。