整流接觸是指在電路中，電子元器件之間由于接觸不良、接觸面積小等原因，導致電流通過接觸表面形成一個低阻抗的通道，從而使電路性能下降或出現(xiàn)異常。常見的整流接觸有金屬氧化物半導體（MOS）接觸、PN結接觸等。

1.整流接觸和歐姆接觸的區(qū)別

歐姆接觸是指接觸表面的電阻很小，接觸處電勢差很小，符合歐姆定律；而整流接觸則存在非線性電阻，即對于不同的電壓，電流響應也不同。所以，與歐姆接觸相比，整流接觸的特性更加復雜，其產生的熱量也更大。

2.金屬氧化物半導體（MOS）接觸

MOS接觸是指金屬/半導體表面形成的一種涂層，通過這種涂層可以使金屬電極與半導體之間的接觸具有整流作用。該涂層通常為二氧化硅、氮化硅等氧化物，其主要功能是增加整流接觸的非線性特點和穩(wěn)定性。MOS接觸廣泛應用于集成電路、太陽能電池及LED等領域。

3.PN結接觸

PN結接觸是指pn結兩側金屬探頭與半導體之間形成的接觸。由于PN結具有正向電阻和反向電阻兩個狀態(tài)，因此在反向電壓的作用下，PN結接觸呈現(xiàn)出較強的整流特性，可用作電源開關元件。