磁阻效應(yīng)是指當(dāng)電流通過具有磁性的物質(zhì)時(shí)，因?yàn)榇艌鰧d流子的運(yùn)動(dòng)軌跡產(chǎn)生影響，從而使電阻發(fā)生變化的現(xiàn)象。在半導(dǎo)體材料中，磁阻效應(yīng)可以分為兩類。

1.長基線磁阻效應(yīng)

長基線磁阻效應(yīng)（Longitudinal Magnetoresistance，LMR）是指材料的電阻隨著磁場的增大而增大或減小而減小的現(xiàn)象。這種效應(yīng)主要由于電子在磁場作用下的受阻和散射所致，其大小和方向均與磁場的強(qiáng)度和方向有關(guān)。

2.巨磁阻效應(yīng)

巨磁阻效應(yīng)（Giant Magnetoresistance，GMR）是指材料的電阻隨著磁場的改變而快速變化的現(xiàn)象。這種效應(yīng)主要發(fā)生在由兩個(gè)或多個(gè)帶狀磁性層和一個(gè)非磁性層交替形成的復(fù)合膜上，其中非磁性層的厚度比磁性層小得多。