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掃碼加入鍺二極管是一種半導體器件，與硅二極管相比具有更低的費用和更廣泛的使用范圍。當正向偏壓被施加到鍺二極管上時，其會開始導通，形成電流路徑。而在反向偏壓下，它則基本不會導電。
導通電壓是指鍺二極管開始傳導電流所需的最小正向偏壓。它的值取決于器件的特性和工作溫度，通常在0.2V至0.4V之間。與硅二極管相比，鍺二極管的導通電壓較低。
鍺二極管的死區(qū)電壓也叫反向擊穿電壓，是指鍺二極管在反向偏壓下，達到擊穿的最小電壓。其值也取決于器件的特性和工作溫度，通常在60V至80V之間。
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