MOSFET、IGBT和BJT等半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設(shè)計(jì)者需要知道這些參數(shù)。例如，設(shè)計(jì)一個(gè)高效的開(kāi)關(guān)電源將要求設(shè)計(jì)者知道設(shè)備的電容，因?yàn)檫@將影響開(kāi)關(guān)速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標(biāo)說(shuō)明書(shū)中提供。 圖1. 功率MOSFET的組件級(jí)電容 三端功率半導(dǎo)體器件的電容可以在兩種不同的量級(jí)上看待：組件和電路。在組件上查看電容涉及到表征每個(gè)設(shè)備終

近日，英飛凌宣布與全球領(lǐng)先的能源互聯(lián)網(wǎng)核心電力設(shè)備及解決方案領(lǐng)軍企業(yè)盛弘電氣股份有限公司達(dá)成合作。英飛凌將為盛弘提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半導(dǎo)體器件，配合EiceDRIVER? 緊湊型1200V單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)IC， 從而進(jìn)一步提升儲(chǔ)能變流器的效率。 在“雙碳”戰(zhàn)略和新能源浪潮帶動(dòng)下，近年來(lái)，國(guó)內(nèi)儲(chǔ)能市場(chǎng)保持持續(xù)快速發(fā)展。據(jù)工信部統(tǒng)計(jì)，2023年上半年，新型儲(chǔ)能

新世代電力系統(tǒng)的未來(lái)，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）今日宣布，利用該公司的一項(xiàng)專利技術(shù)，在氮化鎵功率晶體管上實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)達(dá)5微秒的短路耐受時(shí)間（SCWT）。這是同類產(chǎn)品有記錄以來(lái)首次達(dá)到的成就，也是整個(gè)行業(yè)的一個(gè)重要里程碑，證明 Transphorm 的氮化鎵器件能夠滿足伺服電機(jī)、工業(yè)電機(jī)和汽車動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)等傳統(tǒng)上由硅 IGBT 或碳化硅（SiC）MOSFET 提供支持的堅(jiān)固型功率逆變器所需的抗短路能力 --- 氮化鎵在這類應(yīng)用領(lǐng)域未來(lái)五年的潛在市場(chǎng)規(guī)模(TAM)超過(guò) 30 億美元。

英飛凌科技股份公司今日宣布，其位于奧地利菲拉赫的300毫米薄晶圓功率半導(dǎo)體芯片工廠正式啟動(dòng)運(yùn)營(yíng)。

相比手機(jī)、電腦芯片新產(chǎn)品發(fā)布會(huì)有時(shí)比春晚還熱鬧的景象，汽車芯片領(lǐng)域一直不太受普通大眾關(guān)注。直到2020年開(kāi)始，汽車芯片出現(xiàn)了嚴(yán)重短缺，甚至出現(xiàn)了供應(yīng)商囤積居奇的魔幻場(chǎng)景。