• 激光錫膏如何改寫精密焊接規(guī)則 從原理到應用深度解析

  激光錫膏通過“局部激光加熱” 顛覆傳統(tǒng)回流焊的“全局加熱”模式，具備微米級精度（±2μm）、低熱損傷（熱影響區(qū)＜0.1mm）、高抗振性（剪切強度 35MPa）等優(yōu)勢，分低溫、中高溫、高導抗振三大品類，適用于3C精密焊接、新能源汽車三電系統(tǒng)、5G功率電子、先進封裝等場景。相比普通錫膏（常規(guī) SnAgCu 合金，適合中低端場景），其在精度、耐溫、可靠性上實現(xiàn)突破。未來將向納米配方、智能化、綠色制造方向發(fā)展，為高端制造提供極致連接方案。

  傲?？萍?/span>

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  05/16 13:51

  新能源汽車 功率器件
• 晶圓代工企業(yè)案例分析——華虹半導體

  縱觀半導體行業(yè)發(fā)展史，全球已發(fā)生兩次大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移：第一次是20世紀70年代從美國向日本轉(zhuǎn)移，第二次是20世紀80年代向韓國與中國臺灣地區(qū)轉(zhuǎn)移。如今，中國大陸則成為半導體產(chǎn)業(yè)第三次轉(zhuǎn)移的核心地區(qū)。大陸晶圓代工行業(yè)起步較晚，隨著國內(nèi)經(jīng)濟的發(fā)展，以及終端應用市場規(guī)模的擴大，國內(nèi)芯片設計公司對晶圓代工服務的需求日益提升，中國大陸晶圓代工行業(yè)實現(xiàn)了快速的發(fā)展。 今天，我們要研究的是國內(nèi)龍頭的晶圓代工企業(yè)

  王兵

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  05/09 09:37

  功率器件 邏輯器件

  
• 2025年1-2月電氣化供應商裝機量排行榜：動力電池TOP10格局保持穩(wěn)定，集中度超93%

  2 月，全球新能源汽車市場延續(xù)了高速增長的態(tài)勢，動力電池作為核心零部件的需求持續(xù)攀升。在這一背景下，動力電池供應鏈的競爭格局進一步凸顯 “頭部份額高度集中” 的特征，寧德時代與弗迪電池憑借技術(shù)優(yōu)勢和規(guī)模效應穩(wěn)居榜首，兩者合計占據(jù)近 70% 的市場份額。與此同時，電池 PACK、BMS、驅(qū)動電機等細分領域也呈現(xiàn)出頭部企業(yè)主導、車企加速自研的趨勢，整個產(chǎn)業(yè)鏈在技術(shù)創(chuàng)新與市場擴張中迎來新的變革。

  蓋世汽車

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  04/14 12:20

  動力電池 功率器件

  
• 是德科技推出用于快速開關(guān)功率器件測試的隔離探測技術(shù)

  是德科技（NYSE: KEYS ）開發(fā)了一種光隔離差分探頭系列，專門用于提高寬禁帶 GaN 和 SiC 半導體等快速開關(guān)器件的效率和性能測試。 是德科技光隔離探頭，共模抑制能力比標準差分探頭高 100 dB 用于功率轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動和逆變器的浮動半橋和全橋架構(gòu)驗證需要測量高共模電壓上的小差分信號，由于相對于地的電壓源波動、噪聲干擾和安全問題，這種測量具有一定的挑戰(zhàn)性。隔離差分探頭是電氣隔離的，能夠抑

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  03/26 08:23

  是德科技 逆變器

  
• CGD發(fā)佈突破性100kW+技術(shù)，推動氮化鎵（GaN）進軍超100億美元電動汽車逆變器市場

  無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司Cambridge GaN Devices (CGD)專注於開發(fā)高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力於簡化綠色電子產(chǎn)品的設計和實施。近日，CGD進一步公佈了關(guān)於ICeGaN? GaN 技術(shù)解決方案的詳情，該方案將助力公司進軍功率超過100kW的電動汽車動力總成應用市場，這一市場規(guī)模預計超過100億美元。Combo ICeGaN?通過將智慧ICeGaN HEMT IC與IG

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  03/12 08:17

  SiC GaN

  
• 《元器件交易動態(tài)周報》-功率器件需求因汽車智能化、AI數(shù)據(jù)中心等市場增長而提升

  核心觀點： 功率器件需求因汽車智能化、AI數(shù)據(jù)中心等市場增長而提升。 二極管四方維商品動態(tài)商情交貨周期指數(shù)維持在自2024年初以來的上升趨勢中；而晶體管交貨周期指數(shù)處于低位徘徊。 2025年1月，功率器件價格整體保持穩(wěn)定。 三大維度解讀功率器件最新供需動態(tài) 市場需求分析 圖 | 二極管四方維商品動態(tài)商情需求指數(shù)情況，來源：Supplyframe四方維 圖 | 晶體管四方維商品動態(tài)商情需求指數(shù)情況，

  史德志

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  02/24 11:35

  碳化硅 MOSFET

  
• 升級電源和機架架構(gòu)，滿足AI服務器的需求

  英飛凌的CoolSiCTM和CoolGaNTM產(chǎn)品非常適用于應對數(shù)據(jù)中心機架和電源供應單元（PSU）電力需求增長所需的新架構(gòu)和AC-DC配電配置。 前言 人工智能（AI）的迅猛發(fā)展推動了數(shù)據(jù)中心處理能力的顯著增長。如圖1所示，英飛凌預測單臺GPU的功耗將呈指數(shù)級上升，預計到2030年將達到約2000 W [1]，而AI服務器機架的峰值功耗將突破驚人的300 kW。這一趨勢促使數(shù)據(jù)中心機架的AC和D

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  02/24 08:11

  英飛凌 功率器件
• Aigtek高壓功率放大器在鐵路鐵軌檢測中有哪些應用

  高壓功率放大器在鐵路鐵軌檢測中有多種重要應用，它們在確保鐵路安全和維護鐵路設施中起著關(guān)鍵作用。下面西安安泰將詳細介紹高壓功率放大器在鐵路鐵軌檢測中的幾個主要應用。 高壓功率放大器用于鐵路鐵軌的振動檢測。振動檢測是一種常見的方法，用于監(jiān)測鐵軌的健康狀態(tài)以及潛在的結(jié)構(gòu)問題。通過在鐵軌上安裝傳感器，并使用高壓功率放大器放大傳感器捕捉到的微弱信號，可以實時檢測鐵軌的振動情況。這種檢測可以幫助確定是否存在異

  Aigtek安泰電子

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  02/24 08:00

  功率放大器 功率器件
• 功率器件熱設計基礎（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息

  功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

  英飛凌

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  01/21 11:05

  功率半導體 功率器件

  
• 泰克與遠山半導體合作再結(jié)碩果，共推1700V GaN器件邁向新高度

  近日，泰克科技與遠山半導體的合作迎來又一重要里程碑，雙方攜手對遠山半導體最新推出的1700V GaN器件進行了深入測試與評估，成果斐然，為該器件在高端應用市場的拓展注入強勁動力。 此前，遠山半導體憑借其在高壓GaN器件領域的持續(xù)創(chuàng)新，已成功推出多款產(chǎn)品，并逐步將額定電壓提升至1700V，這一電壓等級的突破，相較于1200V器件實現(xiàn)了顯著性能飛躍。為攻克GaN器件常見的電流崩塌難題，遠山半導體采用了

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  01/15 08:17

  GaN 功率器件

  
• 功率器件熱設計基礎（十一）——功率半導體器件的功率端子

  功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

  英飛凌

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  01/07 11:05

  功率半導體 功率器件

  
• 功率器件熱設計基礎（十）——功率半導體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)

  功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

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  2024/12/24

  功率半導體 功率器件

  
• 功率器件熱設計基礎（九）——功率半導體模塊的熱擴散

  功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

  英飛凌

  1804

  2024/12/17

  功率半導體 功率器件

  
• PCB過孔的開窗，蓋油，塞油到底是什么意思？廠家EQ該怎么回復？

  關(guān)注微信公眾號：硬件那點事兒

  硬件那點事兒

  5080

  2024/12/13

  pcb 功率器件

  
• 功率器件熱設計基礎（八）——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流

  功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

  英飛凌

  4019

  2024/12/11

  功率半導體 功率器件

  
• 功率半導體冷知識：功率器件的功率密度

  功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導體重要的設計目標。我們一路追求單位芯片面積的輸出電流能力，實現(xiàn)方法是：

  英飛凌

  1057

  2024/12/07

  功率半導體 功率器件
• 功率器件熱設計基礎（七）——熱等效模型

  功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

  英飛凌

  3633

  2024/12/03

  功率半導體 功率器件

  
• 功率器件熱設計基礎（六）——瞬態(tài)熱測量

  功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

  英飛凌

  2384

  2024/11/26

  功率半導體 功率器件

  
• 功率器件熱設計基礎（五）——功率半導體熱容

  功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

  英飛凌

  2383

  2024/11/19

  功率半導體 功率器件

  
• 【“源”察秋毫系列】 多次循環(huán)雙脈沖測試應用助力功率器件研究及性能評估

  隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，功率器件在電動汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等領域的應用日益廣泛。這些應用對功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動汽車領域，功率器件需要在高電壓、高電流和高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，這對器件的耐久性和可靠性是一個巨大的挑戰(zhàn)。同時，隨著SiC等寬禁帶半導體材料的興起，功率器件的性能得到了顯著提升，但同時也帶來了新的測試需求。如何在保證測試效率的同時，準確評估這些先進功率

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  1510

  2024/11/15

  示波器 功率器件

  

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