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半導(dǎo)體晶圓

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  • RFID技術(shù)在半導(dǎo)體晶圓卡塞盒中的應(yīng)用方案
    ?隨著半導(dǎo)體制造工藝的生產(chǎn)自動(dòng)化需求以及生產(chǎn)精度、流程可控性的需求，晶圓卡塞盒作為承載晶圓的核心載體，其管理效率直接影響到生產(chǎn)流程的穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量。本文將結(jié)合RFID技術(shù)與半導(dǎo)體行業(yè)的需求，闡述RFID技術(shù)在半導(dǎo)體晶圓卡塞盒中的應(yīng)用方案。 一、產(chǎn)生背景 行業(yè)痛點(diǎn) 晶圓卡塞盒是用于運(yùn)輸、存儲(chǔ)與保護(hù)晶圓，但其傳統(tǒng)的管理方式存在著以下痛點(diǎn)： 信息滯后：無(wú)法同步晶圓的批次、工藝信息等信息，流轉(zhuǎn)路徑跟蹤滯
  • 未來(lái)十年，半導(dǎo)體晶圓將需求大增
    在本系列的最近兩篇文章中，我們探討了2025-2030年間半導(dǎo)體市場(chǎng)的趨勢(shì)以及晶圓需求預(yù)測(cè)（見(jiàn)圖1、圖2）。不過(guò)，有部分讀者，尤其是在圖表的解讀方面，反饋稱“難以理解”。此外，還有讀者希望我們不僅預(yù)測(cè)5年后的2030年，也能延伸至10年后的2035年。
    未來(lái)十年，半導(dǎo)體晶圓將需求大增
  • 碳化硅襯底修邊處理后，碳化硅襯底TTV變化管控
    ??一、碳化硅襯底修邊處理的作用與挑戰(zhàn)修邊處理是碳化硅襯底加工中的一個(gè)關(guān)鍵步驟，主要用于去除襯底邊緣的毛刺、裂紋和不規(guī)則部分，以提高襯底的尺寸精度和邊緣質(zhì)量。然而，修邊過(guò)程中由于機(jī)械應(yīng)力、熱應(yīng)力以及工藝參數(shù)的精確控制難度，往往會(huì)導(dǎo)致襯底表面TTV的變化，進(jìn)而影響后續(xù)加工工序和最終產(chǎn)品的性能。?二、影響修邊處理后TTV變化的關(guān)鍵因素修邊工藝：修邊工藝的選擇直接影響TTV的變化。不同的修邊工藝，如機(jī)械
    碳化硅襯底修邊處理后，碳化硅襯底TTV變化管控
  • 降低碳化硅襯底TTV的磨片加工方法
    一、碳化硅襯底的加工流程 碳化硅襯底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗拋和精拋（CMP）等幾個(gè)關(guān)鍵工序。每一步都對(duì)最終產(chǎn)品的TTV有著重要影響。 切割：將SiC晶棒沿特定方向切割成薄片。多線砂漿切割是目前常用的切割方式，關(guān)鍵在于確保切割后的晶片厚度均勻、翹曲度小。 粗磨：去除切割過(guò)程中產(chǎn)生的表面損傷和刀紋，修復(fù)變形。此過(guò)程需使用高硬度磨料，如碳化硼或金剛石粉，以達(dá)到穩(wěn)定的去除速率。 精磨：進(jìn)一步降
    降低碳化硅襯底TTV的磨片加工方法
  • 激光退火后，碳化硅襯底TTV變化管控
    一、激光退火在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 激光退火是一種先進(jìn)的熱處理技術(shù)，通過(guò)局部高溫作用，能夠修復(fù)碳化硅襯底中的晶格缺陷，提高晶體質(zhì)量，優(yōu)化摻雜元素的分布，從而改善材料的導(dǎo)電性能和表面結(jié)構(gòu)。然而，激光退火過(guò)程中，由于激光能量分布的不均勻性、退火參數(shù)的精確控制難度以及襯底材料的初始狀態(tài)等因素，往往會(huì)導(dǎo)致襯底表面TTV的變化，進(jìn)而影響后續(xù)加工工序和最終產(chǎn)品的性能。 二、影響激光退火后TTV變化的關(guān)
    激光退火后，碳化硅襯底TTV變化管控
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