日前,瑞能半導體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展(Electronica China 2025),全方位展示了其在碳化硅、IGBT、MOSFET等領域的最新突破成果。本次展會,瑞能半導體延續(xù)“高效、可靠、創(chuàng)新”的核心品牌理念,助力消費電子、工業(yè)和大數據、可再生能源、汽車電子這四大核心應用領域的高效發(fā)展。在全球能源轉型與智能化浪潮加速的背景下,瑞能半導體正成為推動產業(yè)升級的核
4月15日,全球電子行業(yè)盛會——2025慕尼黑上海電子展盛大開幕! 愛仕特以“碳化硅4.0技術平臺”為核心,攜1200V/10mΩ SiC MOSFET、1700V/16mΩ SiC MOSFET、1200V/1000A SiC功率模塊三大“戰(zhàn)略新品”亮相N4館608展位,以極致性能與創(chuàng)新方案,成為全場焦點!這不僅展現了國產碳化硅技術的突破性進展,更標志著第三代半導體進入系統(tǒng)級應用的新紀元。 現場