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MOSFET驅動電路中的柵極電阻靠近驅動器放置還是靠近MOSFET放置？還是無所謂呢？
在MOSFET驅動電路中，如果我們采用柵極驅動器來驅動MOSFET，那么將柵極驅動器盡可能靠近MOSFET放置是比較理想的選擇。但在某些情況下，很難在PCB布置電路板來實現(xiàn)這一點。如果柵極驅動器和MOSFET之間的距離很大，那PCB中外部柵極電阻放哪個位置更好，是靠近柵極驅動器還是靠近MOSFET呢，或者沒有影響？

硬件那點事兒

1980

03/12 15:33

MOSFET 電路設計
為什么有些MOSFET驅動電路柵極電阻要并聯(lián)一個二極管？是多此一舉嗎？
下圖是一個簡潔的柵極驅動電路，包含一個驅動器IC、柵極電阻RGATE、反向并聯(lián)的關斷二極管DOFF，以及MOSFET。在MOSFET驅動電路的設計中，柵極電阻RGATE和反向并聯(lián)二極管DOFF是兩個關鍵元件，它們共同調控MOSFET的開關行為。

硬件那點事兒

5013

2評論

03/10 16:08

二極管 MOSFET
MOSFET驅動電路柵極電阻的阻值如何計算？有三大因素要考慮，1400字搞定它
我們在設計MOSFET驅動電路時一般會在MOSEFT柵極串聯(lián)一個電阻，有放10Ω的，有放20Ω的，那柵極為什么需要串聯(lián)一個電阻？電阻的阻值又該如何選取呢？今天就來分析一下吧。

硬件那點事兒

1.3萬

02/10 15:27

MOSFET 驅動電路
多個MOSFET并聯(lián)的電路里為什么只有個別MOS炸管？調整柵極電阻就能解決？
單個MOSFET的電流能力有限，通過并聯(lián)多個器件可直接提升總電流承載能力。多個器件分擔功耗，減少單個器件的溫升。MOSFET并聯(lián)是一種常見的電路設計方法，主要用于提升電流承載能力、降低導通損耗或改善散熱性能。

硬件那點事兒

2253

02/05 09:33

MOSFET 電路設計
柵極電阻
柵極電阻（Gate Resistance）是指在場效應管（MOSFET）或金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）結構中的柵極（Gate）和源極（Source）之間存在的電阻。柵極電阻對于MOSFET的性能和工作穩(wěn)定性具有重要影響。了解柵極電阻的形成工藝、作用和選擇要點，可以幫助我們更好地設計和優(yōu)化電子設備。

eefocus_3781508

6279

2023/06/30

柵極電阻

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