• 驅(qū)動電路設(shè)計（九）——柵極鉗位

  驅(qū)動電路設(shè)計是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點，涉及到功率半導(dǎo)體的動態(tài)過程控制及器件的保護(hù)，實踐性很強(qiáng)。為了方便實現(xiàn)可靠的驅(qū)動設(shè)計，英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章將以雜談的形式講述技術(shù)背景，然后詳細(xì)講解如何正確理解和應(yīng)用驅(qū)動器的相關(guān)功能。

  英飛凌

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  04/08 10:10

  電路設(shè)計 驅(qū)動電路

  
• 柵極（Gate）的基本原理、材料選擇和工藝方法

  在晶體管世界里，如果將晶體管比作一個可控的“水龍頭”，那么柵極（Gate）就如同控制龍頭開關(guān)的閥門，其重要性不言而喻。隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入納米時代，柵極的材料與制造工藝不斷進(jìn)步，成為提升器件性能的關(guān)鍵之一。

  老虎說芯

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  03/24 09:42

  晶體管 柵極

  
• 為什么采用多晶硅作為柵極材料？

  學(xué)員問：為什么柵極的材料采用多晶硅？多晶硅柵的優(yōu)勢有哪些？柵極材料的變化？如上圖，gate就是柵極，柵極由最開始的鋁柵，到多晶硅柵，再到HKMG工藝中的金屬柵極。

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  02/07 08:57

  多晶硅 柵極
• 微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對器件性能的影響：對先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

  在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。

  與非網(wǎng)編輯

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  2021/08/23

  dram 晶體管
• 柵極電流

  柵極電流（Gate current）是指在場效應(yīng)管、晶體管等半導(dǎo)體器件中，從柵極（Gate）流入或流出的電流。它在半導(dǎo)體器件的工作過程中起到重要的作用，對器件的性能和穩(wěn)定性具有重要影響。

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  6370

  2023/05/25

  電流 柵極
• 柵極

  柵極是一種用于控制場效應(yīng)管或金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）等電子器件的元件。它通常是一個金屬片或一組金屬線構(gòu)成的網(wǎng)格，位于器件的通道和漏極之間。

  wx喵不二~

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  2023/05/10

  柵極
• MOS管的柵極G、源極S、漏極D的判斷方法

  MOS場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種重要的器件。它由柵極（Gate）、源極（Source）、漏極（Drain）三個主要引腳組成。

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  1.1萬

  2024/11/06

  場效應(yīng)晶體管 MOS場效應(yīng)管
• 柵極的檢測方法 門極和柵極的區(qū)別

  晶體管是現(xiàn)代電子技術(shù)中常用的一種電子元件，而晶體管中的柵極也是十分重要的組成部分之一。下面我們來了解一下柵極的檢測方法以及門極和柵極的區(qū)別。

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  2023/04/20

  柵極
• 柵極源極漏極怎么區(qū)分 源極柵極和漏極各有什么作用

  柵極是場效應(yīng)晶體管的一個重要部分，它可以通過改變其電壓來控制器件的導(dǎo)通與截止。在N型場效應(yīng)晶體管中，柵極與源極之間存在一條類似二極管的結(jié)構(gòu)，稱為P-N結(jié)，而漏極則與源極相連?？梢酝ㄟ^使用萬用表或者示波器測量PN結(jié)的正負(fù)極性來確定柵極的位置。

  wx喵不二~

  1.1萬

  2023/03/16

  柵極

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