• 測量探頭的 “溫漂” 問題，對于碳化硅襯底厚度測量的實際影響

  在半導(dǎo)體制造的微觀世界里，碳化硅襯底作為新一代芯片的關(guān)鍵基石，其厚度測量的精準(zhǔn)性如同精密建筑的根基，不容有絲毫偏差。然而，測量探頭的 “溫漂” 問題卻如同一股暗流，悄然沖擊著這一精準(zhǔn)測量的防線，給碳化硅襯底厚度測量帶來諸多實際且棘手的影響。一、“溫漂” 現(xiàn)象的內(nèi)在根源測量探頭的 “溫漂”，本質(zhì)上是由于溫度因素致使探頭自身物理特性發(fā)生改變，進(jìn)而引發(fā)測量誤差的現(xiàn)象。一方面，環(huán)境溫度的波動是 “溫漂”

  萬智光學(xué)

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  01/14 09:22

  碳化硅 晶圓

  
• EPC新推150V封裝兼容的氮化鎵器件， 讓高功率密度應(yīng)用實現(xiàn)靈活設(shè)計

  宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出150 V、6 mΩ EPC2308 GaN FET，讓高功率密度應(yīng)用實現(xiàn)更高的性能和更小的解決方案，包括DC/DC轉(zhuǎn)換、AC/DC SMPS和充電器、太陽能優(yōu)化器和微型逆變器，以及電機(jī)驅(qū)動器。

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  2022/11/03

  bldc EPC
• EPC新推最小型化的100 V、2.2 m? 氮化鎵場效應(yīng)晶體管

  宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（EPC2071）,為設(shè)計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。

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  2022/05/17

  MOSFET 晶體管

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