• 砷化鎵（GaAs）晶圓的光刻膠殘留

  光刻膠的殘留在不同外延基板上處理工藝也不同，玻璃基板或者藍寶石就會抗造一點，砷化鎵、磷化銦等就要避免酸堿。

  芯片工藝技術

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  04/22 10:00

  光刻膠 砷化鎵

  
• 砷化鎵外延基板晶向

  對于做激光應用的砷化鎵基板，晶向有很重要的應用。關乎了激光芯片的成品質量和合格率，通過在wafer上劃片，劈裂，我們得到了die，一顆完整的die如下圖所以，這個只是芯片的一個端面。但是通常把這個面作為芯片的腔體面，也是激光器的解離面{110}晶面。

  芯片工藝技術

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  02/24 12:35

  基板 砷化鎵
• GaAs芯片的表面工藝異常問題

  一、砷化鎵表面存在氧化層。GaAs屬于閃鋅礦結構，具有立方晶系Fm3m空間群，晶胞參數(shù)為5.646 ?。Ga原子位于晶胞的頂點，As原子位于晶胞的面心和體內，形成四面體結構。

  芯片工藝技術

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  02/18 09:50

  砷化鎵 GaAs

  
• 射頻芯片的半壁江山之Qorvo的前生今世

  在射頻芯片的選擇時，有幾家經常出現(xiàn)的公司Skyworks，Qorvo， Broadcom，Murata，TDK等等，他們憑借出色的性能，可靠的質量，牢牢占據(jù)著射頻設計的絕大部分市場。今天我們一起來探尋一下Qorvo的前生今世，這個幾乎占據(jù)射頻IC半壁江山的公司到底出色在哪里？

  射頻學堂

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  2024/10/10

  Qorvo 射頻芯片

  
• 三安集成于EDICON24展示新一代砷化鎵射頻器件制造工藝

  EDICON?CHINA?2024 （電子設計創(chuàng)新大會）于4月9日-10日在北京會議中心正式舉行，暌違三年有余，作為無線通信行業(yè)工程師的專業(yè)交流平臺，大會再次召集了射頻、微波以及無線設計行業(yè)領域的精英企業(yè)，針對當下的通信、消費和航空航天等領域的應用展開討論和技術分享。三安集成作為化合物射頻前端器件的整合服務商，應邀參與大會，并在技術報告會中做出分享。

  美通社

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  2024/04/11

  射頻器件 砷化鎵
• 第三代半導體項目遍地開花

  近日，多個第三代半導體項目迎來最新進展。其中，重投天科第三代半導體項目、山東菏澤砷化鎵半導體晶片項目投資資金超30億。

  全球半導體觀察

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  2024/03/04

  第三代半導體 SiC芯片

  
• 從砷化鎵產能來看2024年半導體供應鏈重塑

  進入2024年，砷化鎵產能需求在持續(xù)增長。記得在2023年第二季度的時候，砷化鎵產能非?？杖保虻谝淮笊榛壌S穩(wěn)懋產能利用率只有30%。當時我就意識到，到第四季度砷化鎵產能可能會出現(xiàn)緊張現(xiàn)象。于是，跟公司業(yè)務討論完市場需求后，在第三季度進行了備貨，確保安全庫存。

  鐘林談芯

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  2024/01/08

  芯片公司 半導體供應鏈

  
• 二代半，要起飛了

  2023年7月，法國市場研究公司Yole?Group（Yole）發(fā)布了關于砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）化合物半導體的市場分析。該公司預計消費者應用的日益普及將加速這兩個市場的增長。

  芯世相

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  2023/07/19

  砷化鎵 化合物半導體

  
• Microchip持續(xù)擴大氮化鎵（GaN）射頻功率器件產品組合

  全新單片微波集成電路（MMIC）和分立器件，可滿足5G、衛(wèi)星通信和國防應用的性能要求

  與非網(wǎng)編輯

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  2021/12/02

  射頻 功率器件
• 【芯招商-化合物半導體2.9】黃光LED等多個三代半技術入選先導技術榜單 | 兩會臨近，三省地三代半產業(yè)再加速！

  芯片揭秘 ● 芯招商

  芯片揭秘

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  2021/02/09

  集成電路 SiC
• 材料 | 臺砷化鎵晶圓代工廠5月營收同比大增 受華為禁令影響有限

  上月，美國商務部宣布將擴大華為禁令，未經核可下，禁止美國軟件及相關技術芯片供貨商供貨給華為。

  訊石光通訊

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  2020/06/12

  華為 晶圓代工
• 從射頻角度看砷化鎵，國產當自強

  砷化鎵，不尷不尬？

  步日欣

  395

  2020/06/01

  射頻 砷化鎵
• 國產半導體未來很遠，但不能漸行漸遠

  半導體材料這個想必大家都不陌生，現(xiàn)在我們使用的最常見的便是硅(Si)，但是寬禁帶半導體(WBG)又是當下較為熱門的半導體材料。

  Disciple

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  2019/11/13

  晶體管 國產半導體
• 半導體兩大原材料淺析

  與非網(wǎng)10月22日訊，半導體原料共經歷了三個發(fā)展階段：第一階段是以硅 (Si)、鍺 (Ge) 為代表的第一代半導體原料；第二階段是以砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 等化合物為代表；第三階段是以氮化鎵 (GaN)、碳化硅 (SiC)、硒化鋅 (ZnSe) 等寬帶半導體原料為主。

  與非網(wǎng)記者

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  2019/10/22

  半導體 GaN
• 美國“狙擊”三安光電后續(xù)：AMT已恢復供貨！

  4月22日，三安光電有關人士透露：經近期雙方有效溝通，美國應用材料公司(AMT)已恢復向三安光電公司的供貨與合作，4月22日AMT技術人員已恢復在三安光電的設備安裝調試工作。

  滿天芯

  38

  2019/04/23

  LED照明 砷化鎵
• 砷化鎵芯片代工龍頭穩(wěn)懋二季度表現(xiàn)不佳 5G成助推器

  穩(wěn)懋2018年部分營收逐步下調，但總營收仍較2017年小幅成長

  拓墣產業(yè)研究

  25

  2019/03/21

  砷化鎵 5G通訊
• 穩(wěn)懋憑借什么秘技獲得博通注資

  全球砷化鎵代工龍頭公司穩(wěn)懋半導宣布，博通子公司新加坡商安華高將以每股277元認購2千萬股私募，總計斥資新臺幣55.4億元（約合1.85億美元），資金將于2017年12月22日前到位。

  趙元闖

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  2017/12/11

  博通 芯思想
• 高通搶攻GaAs功率放大器市場，穩(wěn)懋為啥也能跟著樂呵

  美國高通（Qualcomm）宣布推出一系列全面性的射頻前端（RFFE）解決方案，包括首度推出砷化鎵（GaAs）多模功率放大器（MMPA）模塊，與首款支持載波聚合（Carrier Aggregation，CA）的動態(tài)天線調諧解決方案。

  與非網(wǎng)記者

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  2017/03/13

  高通 放大器
• 砷化鎵

  砷化鎵（Gallium Arsenide，簡稱GaAs）是一種重要的半導體材料，具有優(yōu)異的電子性能和光電性能，在半導體領域發(fā)揮著重要作用。砷化鎵材料因其高電子遷移率、高飽和漂移速度、較寬的能隙以及優(yōu)秀的光電特性而備受關注。

  eefocus_3901714

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  2024/12/04

  GaN 半導體材料
• 砷化鎵太陽能電池

  砷化鎵太陽能電池（簡稱GaAs太陽能電池）是一種高效率、高穩(wěn)定性的太陽能電池。它采用砷化鎵材料作為光伏層，具有較高的太陽能轉換效率，并且在高溫和高輻射環(huán)境下具有較好的穩(wěn)定性。

  eefocus_3706328

  4032

  2022/01/17

  電池 太陽能電池

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