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中國的碳基芯片漸占優(yōu)勢(shì)
按照科學(xué)家的預(yù)計(jì)，硅基芯片的物理極限在1nm。而按照晶圓廠們的工藝演進(jìn)，3nm后的工藝是2nm，再之后的工藝是1.4nm。因?yàn)楣杌牧纤?，硅基芯片性能的缺陷?huì)變得愈發(fā)明顯，無法再往1nm以下推進(jìn)。比如：

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

1430

2023/01/16

碳基芯片
【未來可測(cè)】系列之一：碳基芯片將成未來主流，半導(dǎo)體材料及電子器件測(cè)試是研究基礎(chǔ)
所謂的納米材料，是指三維空間尺度至少有一維處于納米量級(jí)(1-100nm)的材料，包括：零維材料 – 量子點(diǎn)、納米粉末、納米顆粒；一維材料 – 納米線或納米管；二維材料 – 納米薄膜，石墨烯；三維材料 - 納米固體材料。

與非網(wǎng)編輯

751

2022/09/07

量子點(diǎn) 碳基芯片
碳基半導(dǎo)體，扶搖直上九萬里？
根據(jù)IBM研究，10nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)后碳納米管芯片在性能和功耗方面都將比硅芯片有明顯改善。從硅基7nm到5nm技術(shù)，芯片速度大約提升20%，而相比硅基7nm技術(shù)，碳納米管基7nm技術(shù)的芯片速度將提升300%。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

462

2022/04/10

碳基芯片碳基半導(dǎo)體
碳基材料將納入“十四五”原材料工業(yè)相關(guān)發(fā)展規(guī)劃
碳基新材料正在各個(gè)“物件”中大顯身手，制備出高密度高純半導(dǎo)體陣列碳納米管材料，并在此基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)性能超越同等柵長(zhǎng)硅基CMOS技術(shù)的晶體管和電路，展現(xiàn)出碳管電子學(xué)的優(yōu)勢(shì)，現(xiàn)階段，碳基新材料猶如一顆冉冉升起的新星。

中國電子報(bào)

222

2021/08/26

碳基芯片碳基材料
手機(jī)芯片是由什么制成的手機(jī)芯片硅基和碳基區(qū)別
1. 手機(jī)芯片是由什么制成的

eefocus_3880508

2690

2023/03/28

手機(jī)芯片碳基芯片

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