光刻工藝是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫(huà)幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過(guò)刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。

日本佳能公司10月13日宣布推出FPA-1200NZ2C納米壓印半導(dǎo)體制造設(shè)備，該設(shè)備執(zhí)行電路圖案轉(zhuǎn)移。佳能據(jù)介紹，佳能的納米壓印光刻（Nano-Imprint Lithography，NIL）技術(shù)可實(shí)現(xiàn)最小線寬14nm的圖案化，相當(dāng)于生產(chǎn)目前最先進(jìn)的邏輯半導(dǎo)體所需的5nm節(jié)點(diǎn)。此外，隨著掩模技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，NIL有望實(shí)現(xiàn)最小線寬為10nm的電路圖案，相當(dāng)于2nm節(jié)點(diǎn)。NanoimprintLithography(NIL)，是一種新型的微納加工技術(shù)。該技術(shù)將設(shè)計(jì)并制作在模板上的微小圖形，通過(guò)壓印等技術(shù)轉(zhuǎn)移到涂有高分子材料的硅基板上。納米壓印的分辨率由所用印模板圖形的大小決定，物理上沒(méi)有光刻中的衍射限制，納米壓印技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)線寬的圖形。