• 晶圓的另一面：背面供電領(lǐng)域的最新發(fā)展

  在我從事半導(dǎo)體設(shè)備的職業(yè)生涯之初，晶圓背面是個(gè)麻煩問(wèn)題。當(dāng)時(shí)發(fā)生了一件令我記憶深刻的事：在晶圓傳送的過(guò)程中，幾片晶圓從機(jī)器人刀片上飛了出來(lái)。收拾完殘局后，我們想到，可以在晶圓背面沉積各種薄膜，從而降低其摩擦系數(shù)。放慢晶圓傳送速度幫助我們解決了這個(gè)問(wèn)題，但我們的客戶經(jīng)理不太高興，因?yàn)樗麄儾坏貌幌蚩蛻艚忉層纱藢?dǎo)致的產(chǎn)量減少的原因。

  與非網(wǎng)編輯

  2242

  2023/09/04

  臺(tái)積電 電源

  
• 背面供電與DRAM、3D NAND三大技術(shù)的未來(lái)預(yù)測(cè)

  最近有許多正在全球范圍內(nèi)研究和開發(fā)的技術(shù)，例如晶體管GAA（Gate All around）、背面供電以及3D IC?！癡LSI研討會(huì)2023”（VLSI2023）于2023年6月11日至16日在京都麗嘉皇家酒店舉行。今年VLSI2023提交的論文數(shù)量為273篇，比去年夏威夷舉辦的232篇多了41篇。這273篇論文是近10年來(lái)提交論文數(shù)量最多的。錄用論文數(shù)量達(dá)到89篇，創(chuàng)歷史新高。然而，錄用率只有33%。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  2894

  2023/07/27

  dram 3D NAND

  

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