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一文了解原子層沉積(ALD)薄膜制備技術(shù)
CVD?技術(shù)是一種在真空環(huán)境中通過襯底表面化學(xué)反應(yīng)來進(jìn)行薄膜生長的過程，較短的工藝時間以及所制備薄膜的高致密性，使?CVD?技術(shù)被越來越多地應(yīng)用于薄膜封裝工藝中無機(jī)阻擋層的制備。

半導(dǎo)體全解

1379

05/07 11:40

ALD 薄膜技術(shù)
一文了解芯片鍍膜技術(shù)及檢測方法
薄膜外延生長是一種關(guān)鍵的材料制備方法，其廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件、光電子學(xué)和納米技術(shù)領(lǐng)域。該過程涉及材料的原子或分子逐層沉積在襯底表面，形成具有特定性能和結(jié)構(gòu)的薄膜，因此其生長過程會直接影響到薄膜的結(jié)構(gòu)以及其最終性能。

半導(dǎo)體全解

1539

03/17 11:20

薄膜技術(shù)
QD | 有望取代噴墨工藝，亞洲大學(xué)成功開發(fā)高密度量子點薄膜制造新技術(shù)
亞州大學(xué)3月31日表示，應(yīng)用化學(xué)生物技術(shù)系、研究生院分子科學(xué)技術(shù)系金相旭教授研究團(tuán)隊結(jié)合超聲波和氣象沉積法，成功制造出高密度量子點薄膜。該技術(shù)將有望作為替代目前為了實現(xiàn)彩色顯示而廣泛使用的利用噴墨技術(shù)制造薄膜的新技術(shù)。

CINNO Research

256

2022/04/02

薄膜技術(shù) QD
等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）中等離子體的作用有哪些
等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）是一種常用的薄膜制備技術(shù)，通過在等離子體條件下進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，在固體襯底表面形成均勻、致密、具有良好性能的薄膜。等離子體在PECVD過程中起著關(guān)鍵作用，通過激活氣體分子和表面反應(yīng)，影響薄膜的生長速率、結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。

eefocus_3901714

2070

2024/08/16

PECVD 薄膜技術(shù)

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