• 替代 LMG1210 60V半橋MOSFET和GaN FET驅(qū)動(dòng)器

  產(chǎn)品特性（替代LMG1210） ? 工作頻率高達(dá) 10MHz ? 20ns 典型傳播延遲 ? 5ns 高側(cè)/低側(cè)匹配 ? 兩種輸入控制模式 ? 具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間的單個(gè) PWM 輸入、 獨(dú)立輸入模式 ? 1.5A 峰值拉電流和 3A 峰值灌電流 ? 內(nèi)置 5V LDO ? 欠壓保護(hù) ? 過(guò)熱保護(hù) ? 總劑量（TID）耐受： ≥100k rad(si) ? 單粒子鎖定及燒毀對(duì)線性能量傳輸（LET）的抗

  集芯微電科技

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  2024/06/11

  隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器

  

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