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驍龍810過熱問題元兇，都是臺積電20nm工藝鬧的？
因為驍龍810的過熱和節(jié)流問題，可能導(dǎo)致HTC One M9和LG G Flex 2的電池使用壽命縮短，性能表現(xiàn)更差。而高通芯片過熱的原因在于其采用了臺積電20nm制造工藝。而三星Exynos芯片采用的是更低的14nm工藝。

與非網(wǎng)記者

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2015/04/28

臺積電高通
Nvidia請注意形象！不要把臟水都潑臺積電頭上
每一個工藝節(jié)點，只要碰到點問題，總有專業(yè)記者寫文章抨擊臺積電，好像所有的問題都是臺積電搞出來的。公平地說這些記者是有困難，他們不像半導(dǎo)體行家一樣，熟知IC設(shè)計公司的排名，能夠接觸到半導(dǎo)體公司的資料，所以搞不清楚20nm工藝是什么狀況也正常。但是望文生義瞎解釋就是媒體的不對了。

與非網(wǎng)記者

1

2015/02/16

臺積電 NVIDIA
賽靈思，借20nm UltraScale FPGA產(chǎn)品加速替代ASIC
那邊Altera剛剛推出集成了Enpirion優(yōu)勢電源產(chǎn)品的SoC FPGA參考設(shè)計，這邊賽靈思就宣布兌現(xiàn)承諾，基于20nm工藝的UltraScale架構(gòu)FPGA產(chǎn)品正式發(fā)貨。雖然針鋒相對的氣勢明顯，但也能看出兩大廠商的策略和方向的不同。

高揚

2013/12/11

FPGA ASIC
賽靈思欲借UltraScale架構(gòu)打破魔咒，20nm繼續(xù)領(lǐng)先一代
就在最近，賽靈思公司全球高級副總裁、亞太區(qū)執(zhí)行總裁湯立人表示“賽靈思要打破這一魔咒”，與此同時宣布賽靈思搶先一步發(fā)片20nm工藝的FPGA產(chǎn)品，將“繼續(xù)領(lǐng)先一代”。

高揚

2013/07/10

FPGA 賽靈思
賽靈思的未來：從FPGA到系統(tǒng)廠商
如今隨著芯片工藝的演進，一方面我們看到芯片尺寸越來越好，性能越來越提升，另一方面集成度也在不斷提高。近年來3D IC封裝工藝的出現(xiàn)，更讓很多功能芯片可以集成在一起形成越來越強大的SoC產(chǎn)品。這里面，首

高揚

2012/11/14

SoC 賽靈思

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