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驍龍810過熱問題元兇,都是臺(tái)積電20nm工藝鬧的?
因?yàn)轵旪?10的過熱和節(jié)流問題,可能導(dǎo)致HTC One M9和LG G Flex 2的電池使用壽命縮短,性能表現(xiàn)更差。而高通芯片過熱的原因在于其采用了臺(tái)積電20nm制造工藝。而三星Exynos芯片采用的是更低的14nm工藝。
與非網(wǎng)記者
5
2015/04/28
臺(tái)積電
高通
Nvidia請注意形象!不要把臟水都潑臺(tái)積電頭上
每一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn),只要碰到點(diǎn)問題,總有專業(yè)記者寫文章抨擊臺(tái)積電,好像所有的問題都是臺(tái)積電搞出來的。公平地說這些記者是有困難,他們不像半導(dǎo)體行家一樣,熟知IC設(shè)計(jì)公司的排名,能夠接觸到半導(dǎo)體公司的資料,所以搞不清楚20nm工藝是什么狀況也正常。但是望文生義瞎解釋就是媒體的不對了。
與非網(wǎng)記者
1
2015/02/16
臺(tái)積電
NVIDIA
賽靈思,借20nm UltraScale FPGA產(chǎn)品加速替代ASIC
那邊Altera剛剛推出集成了Enpirion優(yōu)勢電源產(chǎn)品的SoC FPGA參考設(shè)計(jì),這邊賽靈思就宣布兌現(xiàn)承諾,基于20nm工藝的UltraScale架構(gòu)FPGA產(chǎn)品正式發(fā)貨。雖然針鋒相對的氣勢明顯,但也能看出兩大廠商的策略和方向的不同。
高揚(yáng)
2013/12/11
FPGA
ASIC
賽靈思欲借UltraScale架構(gòu)打破魔咒,20nm繼續(xù)領(lǐng)先一代
就在最近,賽靈思公司全球高級(jí)副總裁、亞太區(qū)執(zhí)行總裁湯立人表示“賽靈思要打破這一魔咒”,與此同時(shí)宣布賽靈思搶先一步發(fā)片20nm工藝的FPGA產(chǎn)品,將“繼續(xù)領(lǐng)先一代”。
高揚(yáng)
2013/07/10
FPGA
賽靈思
賽靈思的未來:從FPGA到系統(tǒng)廠商
如今隨著芯片工藝的演進(jìn),一方面我們看到芯片尺寸越來越好,性能越來越提升,另一方面集成度也在不斷提高。近年來3D IC封裝工藝的出現(xiàn),更讓很多功能芯片可以集成在一起形成越來越強(qiáng)大的SoC產(chǎn)品。這里面,首
高揚(yáng)
2012/11/14
SoC
賽靈思
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芯片命名規(guī)則怎么看?
基于Nuvoton M452 四軸飛行器
Verilog HDL技術(shù)文章集錦
基于ST VIPer37的5V及12V雙輸出Open Frame 通用15W電源方案
基于ST L6562AT及L6599AT電源控制IC的130W街燈照明之電源方案
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基于QUALCOMM CSR8675+QCC3034低延時(shí)低功耗之網(wǎng)絡(luò)主播耳機(jī)方案
基于瑞芯微平臺(tái)的Camera相關(guān)技術(shù)集錦
基于Atmega328 MCU 與 Semtech SX1276 的入侵警告方案
模擬芯片-2024年三季度供需商情報(bào)告
基于STM32F303 ARM Cortex M4 及L63982 的無人機(jī)電子速度控制器方案
雙向 3000W UPS 電源系統(tǒng)參考設(shè)計(jì)
消費(fèi)類 100W USB PD 電池充電器參考設(shè)計(jì)
基于NXP LPC4078+JN5168多軸智慧飛行器方案
功率器件-2024年三季度供需商情報(bào)告
基于ST STNRG388A 數(shù)位功率因數(shù)控制器的170W交換式電源方案
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基于 Microchip(Atmel) ATSAM4S16-AU 的四軸飛行器解決方案
DER-121:13.1 W AC-DC反激轉(zhuǎn)換器
基于炬芯(Actions) ATB1103的藍(lán)牙語音遙控器方案
高度集成的 100W USB-PD 充電器
基于NXP S32V234 的疲勞監(jiān)測、前方碰撞、車道偏離、全景監(jiān)控 之 Panda ADAS 方案
基于Infineon IRSM506 IPM的BLDC無葉風(fēng)扇方案
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與非專題
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基于Novatek NT98568 + OmniVision OS04E10實(shí)現(xiàn)Preroll方案
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先楫HPM5E00系列 EVK資料
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