• 2020年Q1全球前十大晶圓代工廠(chǎng)營(yíng)收排名出爐

  過(guò)在新冠肺炎沖擊全球市場(chǎng)導(dǎo)致經(jīng)濟(jì)動(dòng)能趨緩的情況下，需求端存在極大的變量，恐將弱化接下來(lái)的成長(zhǎng)力道。

  拓墣產(chǎn)業(yè)研究

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  2020/03/20

  臺(tái)積電 三星
• 晶圓大廠(chǎng)格芯與 ARM 合作，算盤(pán)里打的什么主意？

  與非網(wǎng)10月17日訊，晶圓代工大廠(chǎng)格芯(GlobalFoundries)于16日宣布，將與Arm合作藉由基于格芯旗下FD-SOI的22FDX平臺(tái)，為蜂巢式物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用程序提供安全的系統(tǒng)SoC解決方案。

  與非網(wǎng)記者

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  2019/10/17

  物聯(lián)網(wǎng) Arm
• 物聯(lián)網(wǎng)高速增長(zhǎng)為 FD-SOI 帶來(lái)機(jī)遇，22FDX 有 50% 以上流片來(lái)自中國(guó)

  與非網(wǎng)9月17日訊，格芯在2015年7月正式宣布了22FDX制程，其最大特點(diǎn)是全球第一家達(dá)成22納米FD-SOI（完全空乏型硅絕緣層金氧半電晶體元件），仍然采用平面型電晶體的制程，整體復(fù)雜度和成本都大大低于其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手16/14納米制程。

  與非網(wǎng)記者

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  2019/09/17

  格芯 FD-SOI
• 格羅方德（格芯Global Foundries）最近火了，這些芯片廠(chǎng)商表示并不意外？

  隨著格羅方德收購(gòu)IBM半導(dǎo)體業(yè)務(wù)及其先進(jìn)節(jié)點(diǎn)工藝開(kāi)發(fā)專(zhuān)業(yè)技術(shù)，IDM向無(wú)晶圓公司提供先進(jìn)制造業(yè)務(wù)的機(jī)會(huì)正在消逝。格羅方德最近宣布的百億美金擴(kuò)張計(jì)劃更是彰顯了這種趨勢(shì)。這里提到的產(chǎn)能擴(kuò)張包括他們?cè)诩~約的FinFET，在德累斯頓的FD-SOI，在新加坡的CMOS，以及要在中國(guó)成都新建的CMOS和FD-SOI工廠(chǎng)，這意味著格羅方德絕對(duì)稱(chēng)得上是一

  與非網(wǎng)記者

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  2017/02/14

  與非觀(guān)察 格芯
• 格羅方德推12納米FD-SOI工藝，F(xiàn)DX平臺(tái)吸引力與限制各在何處？

  9月8日格羅方德（GlobalFoundries）公布了全新的12納米全耗盡平面晶體管（FD-SOI）工藝平臺(tái)12FDX，該平臺(tái)性能媲美10納米FinFET工藝，功耗和成本卻低于16納米FinFET工藝。根據(jù)格羅方德提供的數(shù)據(jù)，12FDX的性能將比現(xiàn)在最先進(jìn)的16/14納米工藝提升15%，而功耗則省了一半。結(jié)合此前推出的22FDX，格羅方

  王樹(shù)一

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  2016/09/09

  格羅方德 FD-SOI
• GlobalFoundries 22FDX ASIC要想快速發(fā)展，要從生態(tài)系統(tǒng)開(kāi)始！

  GlobalFoundries定位于FDSOI技術(shù)，即22FDX，相對(duì)于28nm節(jié)點(diǎn)的FDSOI，它可以為用戶(hù)提供更好的產(chǎn)品性能和更低的功耗。FDSOI許可協(xié)議在LETI和GlobalFoundries之間實(shí)現(xiàn)只用了2個(gè)月（2015年7月），但是實(shí)際工作早在Dresden展開(kāi)，那時(shí)候來(lái)自L(fǎng)ETI的幾個(gè)工程師已經(jīng)開(kāi)始研發(fā)新技術(shù)，以確保LET

  與非網(wǎng)記者

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  2015/10/20

  ASIC 格羅方德
• 工藝多元化這場(chǎng)豪賭，格羅方德勝算幾何？

  純邏輯先進(jìn)工藝方面，格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）應(yīng)該是全世界擁有最多選項(xiàng)的半導(dǎo)體代工廠(chǎng)。既有獲得三星授權(quán)的14nm FinFET工藝，又在準(zhǔn)備由收購(gòu)的原IBM微電子部門(mén)來(lái)獨(dú)立開(kāi)發(fā)10nm與7nm工藝，還有其獨(dú)家力推的FD-SOI工藝。 在英特爾、三星與臺(tái)積電等都堅(jiān)持走FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)管）路線(xiàn)時(shí)，格羅

  王樹(shù)一

  1

  2015/09/22

  格羅方德 FD-SOI

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