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3D NAND Flash，劍指1000層堆疊！
閃存進(jìn)入立體堆疊時(shí)代之后，在存儲大廠推動下，閃存堆疊層數(shù)越來越高，目前已經(jīng)突破200層大關(guān)。不過，大廠對于層數(shù)的追求永不止步，根據(jù)韓媒The Elec報(bào)道，三星存儲業(yè)務(wù)高管近日對外表示，2030年V-NAND可以疊加到1000多層。閃存市場層數(shù)堆疊競爭愈演愈烈，未來存儲產(chǎn)品容量有望持續(xù)提升。

全球半導(dǎo)體觀察

2123

2023/07/06

SSD 閃存
韓國Wonik IPS｜供應(yīng)三星西安3D Nand molding設(shè)備
根據(jù)韓媒 Etnews 報(bào)道，雖 Wonik IPS 公司的供應(yīng)數(shù)量暫無具體資訊，但業(yè)界預(yù)測對公司業(yè)績貢獻(xiàn)巨大。

CINNO Research

138

2020/02/24

dram 三星電子
大陸存儲器 53 年發(fā)展史
本文中的存儲器包括DRAM、SRAM、EPROM、Flash和新型存儲器（MRAM、PRAM、RRAM）產(chǎn)品。

趙元闖

83

2019/10/10

存儲器 flash
東芝已正式更名為“鎧俠”，公司將投資 3 億擴(kuò)大生產(chǎn)3D NAND Flash
與非網(wǎng)10月2日訊，作為NAND閃存的發(fā)明人，雖然市場地位已經(jīng)被三星超越，但東芝的地位仍然不容小覷。

與非網(wǎng)記者

58

2019/10/02

NAND 內(nèi)存
長江存儲64層3D閃存芯片量產(chǎn)在即，國產(chǎn)芯片替代趨勢下還存在哪些挑戰(zhàn)？
據(jù)報(bào)道，紫光集團(tuán)旗下的長江存儲計(jì)劃于今年年底前投入64層3D閃存的量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)預(yù)計(jì)三季度啟動，目前良率已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了顯著爬升。

李晨光

36

2019/05/08

國產(chǎn)芯片長江存儲

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