• 產(chǎn)業(yè)丨CoP技術(shù)遇困境，三星將使用長江存儲專利技術(shù)

  對于長江存儲而言，此次向三星等頂尖存儲技術(shù)企業(yè)授予專利許可，標(biāo)志著中國存儲產(chǎn)業(yè)歷史上的一個(gè)里程碑。深入分析此次合作的背景，可以發(fā)現(xiàn)這并非僅僅是[巨頭的屈服]，而是一次對技術(shù)定義權(quán)進(jìn)行重新分配的重要變革。

  AI芯天下

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  03/22 09:55

  存儲技術(shù) 3D NAND

  
• 國芯筑夢 南天門啟航 科摩思發(fā)布旗艦SSD性能高達(dá)7100MB/s

  超盈智能科技蟄伏存儲行業(yè)13年，專注于產(chǎn)品封測和嵌入式存儲解決方案，強(qiáng)勁的產(chǎn)品篩選能力對產(chǎn)品的來料有著嚴(yán)格的把控，產(chǎn)品穩(wěn)定性得到高度保證?，F(xiàn)旗下科摩思品牌首次推出消費(fèi)類存儲固態(tài)硬盤赤霄白帝KM7000，搭載PCIe 4.0 NVMe 2.0協(xié)議，以高性能和超大容量存儲為游戲玩家、內(nèi)容創(chuàng)作者提供高速存儲新體驗(yàn)。 科摩思消費(fèi)類存儲產(chǎn)品研發(fā)以問天戰(zhàn)甲為理念，從南天門計(jì)劃構(gòu)思中研發(fā)出赤霄白帝、天河玄女及承

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  2024/07/16

  電源管理 3D NAND

  
• 1000層NAND，是“勇者”的游戲

  最近，鎧俠首席技術(shù)官 (CTO) Hidefumi Miyajima表示，計(jì)劃將在2031年批量生產(chǎn)超過 1,000 層的 3D NAND 存儲器。不少人感嘆，NAND終究是卷到了1000層。其實(shí)，在去年的IEEE論壇上，三星也提出了類似的觀點(diǎn)，預(yù)測到2030年將出現(xiàn)1000層NAND。1000層NAND，是“勇者”的游戲。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

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  2024/04/23

  NAND 3D NAND

  
• 閃存大會上幾個(gè)好消息

  每年春天，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最讓人期待的盛會莫過于閃存大會和SEMICON。今天來聊聊閃存大會（CFMS | MemoryS 2024）。3月20日，2024年閃存大會在深圳前海舉行，大會匯集了全球三大存儲原廠以及眾多產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)。據(jù)主辦方透露，今年大會總參與企業(yè)超過1500家，預(yù)計(jì)到場人數(shù)超過4000人。

  芯師爺

  1416

  2024/03/25

  閃存 3D NAND

  
• 千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局

  從目前公開的DRAM（內(nèi)存）技術(shù)來看，業(yè)界認(rèn)為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來內(nèi)存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)？大廠布局情況？

  全球半導(dǎo)體觀察

  1947

  2024/01/31

  dram 內(nèi)存

  
• 使用SEMulator3D進(jìn)行虛擬工藝故障排除和研究

  SEMulator3D 工藝建模在開發(fā)早期識別工藝和設(shè)計(jì)問題，減少了開發(fā)延遲、晶圓制造成本和上市時(shí)間 現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝極其復(fù)雜，包含成百上千個(gè)互相影響的獨(dú)立工藝步驟。在開發(fā)這些工藝步驟時(shí)，上游和下游的工藝模塊之間常出現(xiàn)不可預(yù)期的障礙，造成開發(fā)周期延長和成本增加。本文中，我們將討論如何使用 SEMulator3D?中的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) (DOE) 功能來解決這一問題。 在 3D NAND 存儲器件的制造中，有

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  1900

  2024/01/29

  3D NAND 氮化硅

  
• 長江存儲“亮劍”：在美起訴美光侵犯其8項(xiàng)3D NAND專利！

  長江存儲在起訴書中稱，美光的128層、176層等諸多系列3D NAND侵犯了長江存儲上訴8項(xiàng)專利。美光在未經(jīng)授權(quán)的情況下利用長江存儲的專利技術(shù)來與長江存儲進(jìn)行競爭，保護(hù)其市場份額，侵犯了長江存儲的利益，遏制了其創(chuàng)新的動力。

  芯智訊

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  2023/11/13

  長江存儲 3D NAND

  
• 3D NAND還是卷到了300層

  近日，三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過 300 層。同樣在8月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在5月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn)8平面3D NAND設(shè)備以及超過300字線的3D NAND IC。3D NAND終究還是卷到了300層……

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  2775

  2023/08/30

  NAND 存儲市場

  
• 長存被制裁一年后，三星、SK海力士宣布3D NAND將邁入300層！

  2022年，美光、SK海力士、三星等相繼量產(chǎn)了232層3D NAND Flash，但是在美方的制裁之下，長存128層及以上NAND Flash的供應(yīng)鏈?zhǔn)艿絿?yán)重阻礙。在此背景之下，這些國際大廠紛紛加速邁向300層，希望能主導(dǎo)未來3D NAND Flash的技術(shù)路線。今年8月初，SK海力士公布了其最新的321層堆疊4D NAND Flash閃存樣品。近日三星也被爆出將會在明年推出擁有超過300層堆疊的第9代V-NAND技術(shù)，未來的第10代V-NAND技術(shù)將可能達(dá)到 430層芯片。

  芯智訊

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  2023/08/22

  長江存儲 3D NAND

  
• 使用新一代高度可調(diào)的低介電薄膜來解決串?dāng)_、隔離等制造挑戰(zhàn)

  很少有比半導(dǎo)體制造迭代得更快的行業(yè)，這對開發(fā)和整合日新月異的生產(chǎn)工藝組合提出了不斷挑戰(zhàn)。半導(dǎo)體行業(yè)一直面臨著如3D整合等新問題和像串?dāng)_這樣持續(xù)存在的問題，因而需要工程師們的智慧和創(chuàng)造力確保技術(shù)的與時(shí)俱進(jìn)，也需要像SPARC這樣的創(chuàng)新設(shè)備支持技術(shù)的實(shí)現(xiàn)，以確保“每條信息都被清楚聽到”。

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  2167

  2023/08/04

  集成電路 3D NAND

  
• 背面供電與DRAM、3D NAND三大技術(shù)的未來預(yù)測

  最近有許多正在全球范圍內(nèi)研究和開發(fā)的技術(shù)，例如晶體管GAA（Gate All around）、背面供電以及3D IC?！癡LSI研討會2023”（VLSI2023）于2023年6月11日至16日在京都麗嘉皇家酒店舉行。今年VLSI2023提交的論文數(shù)量為273篇，比去年夏威夷舉辦的232篇多了41篇。這273篇論文是近10年來提交論文數(shù)量最多的。錄用論文數(shù)量達(dá)到89篇，創(chuàng)歷史新高。然而，錄用率只有33%。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  2902

  2023/07/27

  dram 3D NAND

  
• 泛林集團(tuán)推出全球首個(gè)晶圓邊緣沉積解決方案以提高芯片良率

  近日，泛林集團(tuán) (Nasdaq: LRCX) 推出了Coronus DX產(chǎn)品，這是業(yè)界首個(gè)晶圓邊緣沉積解決方案，旨在更好地應(yīng)對下一代邏輯、3D NAND和先進(jìn)封裝應(yīng)用中的關(guān)鍵制造挑戰(zhàn)。隨著半導(dǎo)體芯片關(guān)鍵尺寸的不斷縮小，其制造變得越來越復(fù)雜，在硅晶圓上構(gòu)建納米級器件需要數(shù)百個(gè)工藝步驟。僅需一個(gè)工藝步驟，Coronus DX 可在晶圓邊緣的兩側(cè)沉積一層專有的保護(hù)膜，有助于防止在先進(jìn)半導(dǎo)體制造過程中經(jīng)常

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  1529

  2023/06/29

  晶圓廠 3D NAND

  
• 長江存儲或?qū)⑼七t武漢第二家晶圓廠建設(shè)

  據(jù)消息人士透露，由于采購供應(yīng)鏈中斷，長江存儲可能推遲在武漢的第二家晶圓廠的建設(shè)。 據(jù)南華早報(bào)報(bào)道，清華大學(xué)集成電路學(xué)院教授魏少軍上周在論壇上贊揚(yáng)了長江存儲的技術(shù)創(chuàng)新，但警告說，在美國對向中國出口尖端半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)施制裁后，中國需要將重點(diǎn)轉(zhuǎn)移到成熟的技術(shù)開發(fā)上。 外國芯片專家表示，長江存儲實(shí)現(xiàn)技術(shù)進(jìn)步和批量生產(chǎn)的能力將受到其無法免費(fèi)獲得美國芯片制造工具和服務(wù)的阻礙。 研究機(jī)構(gòu)TrendForce也在一

  集微網(wǎng)

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  2023/01/29

  晶圓廠 長江存儲
• 復(fù)享光學(xué)首次提出薄膜神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 3D NAND多層薄膜量測獲突破

  據(jù)知名半導(dǎo)體和微電子情報(bào)提供商TechInsights報(bào)道，長江存儲的232層3D NAND閃存X3-9070已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，領(lǐng)先于三星、美光、SK海力士等廠商，這也是中國品牌在半導(dǎo)體領(lǐng)域首次領(lǐng)先于國際競爭者。 中國半導(dǎo)體在先進(jìn)制程制造上的持續(xù)重大突破，給國產(chǎn)量檢測設(shè)備的發(fā)展提出了同樣的要求，只有追求全產(chǎn)業(yè)鏈的整體提升，才能真正保持國際領(lǐng)先。復(fù)享光學(xué)作為國內(nèi)集成電路核心光譜零部件供應(yīng)商，配合設(shè)備廠商

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  993

  2022/12/06

  集成電路 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)
• 業(yè)界首發(fā)，不二選擇：美光推出全球首款232層NAND

  半導(dǎo)體行業(yè)十分有趣，同時(shí)也充滿挑戰(zhàn)。俗話說，“打江山難，守江山更難”，這句話形容半導(dǎo)體行業(yè)十分貼切。我們需要頂住重重壓力，不斷突破物理、化學(xué)、制造和創(chuàng)新的極限，以推動邏輯、內(nèi)存、存儲等計(jì)算器件的發(fā)展。

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  1807

  2022/08/17

  半導(dǎo)體行業(yè) 美光
• 高深寬比刻蝕和納米級圖形化推進(jìn)存儲器的路線圖

  隨著市場需求推動存儲器技術(shù)向更高密度、更優(yōu)性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 (HAR) 刻蝕和極紫外 (EUV) 光刻發(fā)展，泛林集團(tuán)正在探索未來三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn)，以經(jīng)濟(jì)的成本為晶圓廠提供解決方案。

  與非網(wǎng)編輯

  467

  2022/01/10

  EUV 3D NAND
• EUV光刻機(jī)+172層3D NAND，2022存儲業(yè)新賽道攻略

  2021年，全球存儲器市場先揚(yáng)后抑，前三個(gè)季度內(nèi)存價(jià)格一路攀升，第四季度卻轉(zhuǎn)為供過于求，價(jià)格開始下跌。

  中國電子報(bào)

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  2021/12/14

  存儲器 NAND
• 景氣猶如過山車 明年內(nèi)存市場趨勢隱現(xiàn)

  今年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)景氣猶如過山車，上半年還如日中天，而第四季度開始掉頭向下，一波谷底行情逼近。個(gè)中原因既有疫情對應(yīng)用市場的影響，也有內(nèi)存產(chǎn)業(yè)自身發(fā)展周期的擾動。

  陸楠

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  2021/11/23

  與非觀察 DDR5
• 安集科技參加集成電路超級工藝技術(shù)Workshop

  11月19日，集成電路材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟與科百特聯(lián)合舉辦的2021集成電路超凈工藝技術(shù)Workshop在杭州蕭山區(qū)順利舉行。會議采用了線上線下同時(shí)進(jìn)行的形式。

  美通社

  179

  2021/11/23

  美通社 3D NAND
• 半導(dǎo)體存儲器的發(fā)展歷程與當(dāng)前挑戰(zhàn)

  世界上最早的全電子化存儲器是1947年在曼徹斯特大學(xué)誕生的威廉姆斯-基爾伯恩管 (Williams-Kilburn tube)，其原理是用陰極射線管在屏幕表面上留下記錄數(shù)據(jù)的“點(diǎn)”。

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  506

  2021/10/13

  存儲器 dram

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