01 產(chǎn)業(yè)鏈全景圖 半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈貫穿半導(dǎo)體制造全流程，涵蓋上游零部件與材料、中游核心設(shè)備制造、下游晶圓制造與封測(cè)應(yīng)用，形成高度專業(yè)化與技術(shù)密集的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。上游環(huán)節(jié)包括半導(dǎo)體零部件（如機(jī)械件、電氣元件）、材料（如光刻膠、高純度硅片），其技術(shù)精度直接影響設(shè)備性能。中游聚焦光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備等核心設(shè)備的研發(fā)與生產(chǎn)，是產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)高地。下游則涉及晶圓廠（如中芯國(guó)際、臺(tái)積電）的制造需求及封測(cè)企

CVD?技術(shù)是一種在真空環(huán)境中通過(guò)襯底表面化學(xué)反應(yīng)來(lái)進(jìn)行薄膜生長(zhǎng)的過(guò)程，較短的工藝時(shí)間以及所制備薄膜的高致密性，使?CVD?技術(shù)被越來(lái)越多地應(yīng)用于薄膜封裝工藝中無(wú)機(jī)阻擋層的制備。

ALD（Atomic Layer Deposition）：原子層沉積是一種逐層生長(zhǎng)薄膜的工藝。每個(gè)循環(huán)通過(guò)“自限性反應(yīng)”，將化學(xué)前體逐層吸附并反應(yīng)，沉積一個(gè)原子層的材料。目標(biāo)：構(gòu)建具有高均勻性、無(wú)缺陷、埃級(jí)厚度精度的薄膜。

ALD 是一種精確的薄膜沉積技術(shù)，其核心原理是利用化學(xué)反應(yīng)的“自限性”，以原子或分子層為單位逐層生長(zhǎng)薄膜。具體過(guò)程包括：前體吸附：將化學(xué)前體（Precursor）引入反應(yīng)室，前體分子在襯底表面發(fā)生吸附，形成單分子層。

學(xué)員問(wèn)：ALD（原子層沉積），ALE（原子層刻蝕）與傳統(tǒng)的沉積，刻蝕技術(shù)相比，有什么優(yōu)勢(shì)？如上圖，先說(shuō)第一行，第一行是傳統(tǒng)鍍膜與ALD效果的對(duì)比，傳統(tǒng)薄膜沉積方法如 PECVD 或 PVD等，在高深寬比結(jié)構(gòu)中，由于氣體進(jìn)出受到了物理限制，側(cè)壁和底部區(qū)域的沉積速率不同。