• 實(shí)現(xiàn)SiC器件與先進(jìn)電機(jī)、電控系統(tǒng)的全方位優(yōu)化、匹配，并促使逆變器更加“智能化”和“傻瓜化”

  CISSOID與南京航空航天大學(xué)自動(dòng)化學(xué)院電氣工程系達(dá)成深度戰(zhàn)略合作協(xié)議，建立聯(lián)合電驅(qū)動(dòng)實(shí)驗(yàn)室，共同開(kāi)展相關(guān)前沿技術(shù)的研究開(kāi)發(fā) 為各行業(yè)提供所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布：公司已與南京航空航天大學(xué)自動(dòng)化學(xué)院電氣工程系達(dá)成深度戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將攜手建立聯(lián)合電驅(qū)動(dòng)實(shí)驗(yàn)室，共同研發(fā)針對(duì)碳化硅（SiC）功率電子應(yīng)用的全方位優(yōu)化、匹配先進(jìn)電機(jī)的電控系統(tǒng)，以充分發(fā)揮SiC器件的高頻、高

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  1072

  2024/09/23

  碳化硅 電機(jī)
• CISSOID與Silicon Mobility擴(kuò)大合作伙伴關(guān)系， 提供完整的SiC逆變器參考設(shè)計(jì)

  CISSOID和Silicon Mobility今日宣布進(jìn)一步擴(kuò)展其合作伙伴關(guān)系，以提供完整的模塊化碳化硅（SiC）逆變器參考設(shè)計(jì)，且支持高達(dá)350KW/850V的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。該參考設(shè)計(jì)包括CISSOID基于SiC的高壓功率模塊、集成化柵極驅(qū)動(dòng)器，以及采用Silicon Mobility超快速、安全的OLEA T222 FPCU的控制板，直流和相電流傳感器，直流母線電容器和EMI濾波，以及集成化液體

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  641

  2023/03/21

  SiC 碳化硅
• 平創(chuàng)半導(dǎo)體與CISSOID共建高功率密度和高溫應(yīng)用中心

  今日共同宣布：雙方已建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將針對(duì)碳化硅等第三代功率半導(dǎo)體的應(yīng)用共同開(kāi)展研發(fā)項(xiàng)目，使碳化硅功率器件的優(yōu)良性能能夠在航空航天、數(shù)字能源、新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)、軌道交通、5G通信、節(jié)能環(huán)保等領(lǐng)域得以充分發(fā)揮

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  456

  2022/10/17

  SiC GaN
• CISSOID、NAC和Advanced Conversion三強(qiáng)聯(lián)手開(kāi)發(fā) 高功率密度碳化硅（SiC）逆變器

  高溫半導(dǎo)體和功率模塊領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID宣布，公司已與NAC Group和Advanced Conversion（為要求嚴(yán)苛的應(yīng)用提供高性能電容器的領(lǐng)導(dǎo)者）開(kāi)展合作，以提供緊湊且優(yōu)化集成的三相碳化硅（SiC）功率堆棧。

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  263

  2022/06/23

  柵極驅(qū)動(dòng)器 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
• CISSOID與依思普林達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議， 攜手推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成的全面優(yōu)化和深度集成

  雙方已達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將共同開(kāi)展研發(fā)項(xiàng)目，使碳化硅功率器件的優(yōu)良性能在電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成領(lǐng)域得以充分發(fā)揮，從而實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成的全面優(yōu)化和深度集成。

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  181

  2022/06/20

  電動(dòng)汽車(chē) 動(dòng)力總成
• CISSOID 和 Silicon Mobility 宣布推出新能源汽車(chē)緊湊及高效碳化硅逆變器

  高溫半導(dǎo)體和功率模塊方面的領(lǐng)導(dǎo)性企業(yè)CISSOID 公司，與技術(shù)領(lǐng)先的、為新能源汽車(chē)超快速和超高安全性實(shí)時(shí)控制提供現(xiàn)場(chǎng)可編程控制器單元（FPCU）半導(dǎo)體架構(gòu)的發(fā)明者Silicon Mobility公司共同宣布消息。

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  160

  2021/12/09

  SiC 碳化硅
• 探秘高溫半導(dǎo)體的上天入地之旅

  談到上天入地的科技之旅，我們首先想到的應(yīng)該是搭載在航空航天和高速列車(chē)上的半導(dǎo)體產(chǎn)品，以及入地更深的石油勘探設(shè)備。而因?yàn)榘雽?dǎo)體的制造使用高溫?cái)U(kuò)散和離子注入等摻雜技術(shù)，導(dǎo)致一般半導(dǎo)體產(chǎn)品的性能和壽命在高溫環(huán)境下變得不可靠，所以“上天入地”需要付出更高的技術(shù)代價(jià)。另一方面，即便是在不嚴(yán)苛的環(huán)境中，我們發(fā)現(xiàn)很多領(lǐng)域也對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品的壽命有著越來(lái)越高

  賴丹丹

  1

  2014/06/19

  SiC 碳化硅

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