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英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過(guò)減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡(jiǎn)化了功率級(jí)設(shè)計(jì)，降低了用料成本。集成肖特基二極管的CoolGaN? G5晶體管在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，由于GaN器件的有效體二極

與非網(wǎng)編輯

882

04/22 13:12

英飛凌肖特基二極管
GaN 晶體管可在反應(yīng)堆中存活五年！核電或?qū)锳I 未來(lái)提供動(dòng)力！
2024年6月25日，美國(guó)能源部核能辦公室網(wǎng)站報(bào)道，橡樹(shù)嶺國(guó)家實(shí)驗(yàn)室（ORNL）研究發(fā)現(xiàn)，氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體能夠承受核反應(yīng)堆堆芯附近的高溫高輻射。這一發(fā)現(xiàn)可能促成在核反應(yīng)堆中使用無(wú)線傳感器，包括目前正在開(kāi)發(fā)的先進(jìn)小型模塊化和微反應(yīng)堆設(shè)計(jì)。???

DT半導(dǎo)體

1152

2024/07/04

AI GaN
【技術(shù)大咖測(cè)試筆記系列】之八：低功率范圍內(nèi)的MOSFET表征
半導(dǎo)體行業(yè)一直在尋找新型特殊材料、介電解決方案和新型器件形狀，以進(jìn)一步、再進(jìn)一步縮小器件尺寸。例如，2D材料的橫向和縱向異質(zhì)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了新的顛覆性小型低功率電子器件的產(chǎn)生。

與非網(wǎng)編輯

115

2021/10/20

MOSFET lcd

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