• 大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)推出基于立锜科技產(chǎn)品的140W電源適配器方案

  致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于立锜科技（Richtek）RT7333、RT7795、RT7220E芯片的140W電源適配器方案。 圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于立锜科技產(chǎn)品的140W電源適配器方案的展示板圖 隨著游戲本、高性能創(chuàng)作本等高配電腦設(shè)備市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，電源適配器的需求也在不斷升級(jí)。一方面，消費(fèi)者希望充電器能夠快速為設(shè)備補(bǔ)充電量，減少等待時(shí)間

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  05/20 17:49

  GaN 電源適配器

  
• Nexperia公布2024年業(yè)績(jī)表現(xiàn)穩(wěn)健，逆勢(shì)下市場(chǎng)前景積極向好

  安世半導(dǎo)體今日公布了2024財(cái)年財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。在宏觀經(jīng)濟(jì)持續(xù)不確定和市場(chǎng)周期性疲軟的背景下，公司展現(xiàn)出強(qiáng)大的抗風(fēng)險(xiǎn)能力，通過強(qiáng)化執(zhí)行力和堅(jiān)持創(chuàng)新投入，實(shí)現(xiàn)了營收穩(wěn)定并保持盈利。Nexperia在2024財(cái)年結(jié)束時(shí)總營收達(dá)到20.6億美元。在我們界定的市場(chǎng)范圍內(nèi)，市場(chǎng)份額從2023年的8.9%提升至9.7%。展望來年業(yè)績(jī)，得益于毛利率與現(xiàn)金流的持續(xù)改善，公司保持樂觀預(yù)期。此積極趨勢(shì)在2024年第四季度已

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  05/16 08:23

  SiC GaN

  
• 幾種基于Doherty結(jié)構(gòu)的GAN氮化鎵功放設(shè)計(jì)方法介紹

  功率放大器是現(xiàn)代無線通信系統(tǒng)中最重要的組件之一。理想情況下，它們能夠以高線性度和高效率提供高輸出功率。但通常在這三個(gè)關(guān)鍵的功率放大器性能參數(shù)之間需要進(jìn)行權(quán)衡取舍，而且具有最高輸出功率和線性度的放大器往往會(huì)犧牲效率。

  通信射頻老兵

  864

  05/07 13:06

  功率放大器 GaN

  
• GaN FET 在人形機(jī)器人中的應(yīng)用

  引言 人形機(jī)器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時(shí)保持此復(fù)雜系統(tǒng)平穩(wěn)運(yùn)行，會(huì)很難滿足尺寸和散熱要求。人形機(jī)器人內(nèi)空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實(shí)現(xiàn)與人類相似的運(yùn)動(dòng)范圍，通常在整個(gè)機(jī)器人中部署大約 40 個(gè)伺服電機(jī) (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機(jī)分布在機(jī)器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、

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  665

  04/29 08:44

  GaN 人形機(jī)器人

  
• 特斯拉專家訪談：GaN車載應(yīng)用已成趨勢(shì)

  2024年10月，特斯拉技術(shù)專家接受了國外咨詢機(jī)構(gòu)的調(diào)研，其深度解析了氮化鎵技術(shù)在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用前景與挑戰(zhàn)，同時(shí)還對(duì)D-mode / E-mode/直驅(qū)/單片集成等技術(shù)路線以及氮化鎵主流玩家進(jìn)行了點(diǎn)評(píng)?！靶屑艺f三代半”對(duì)該訪談進(jìn)行了全文翻譯，由于整個(gè)采訪多達(dá)7000字，為此這篇訪談將分拆成2篇發(fā)布。

  行家說三代半

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  04/23 10:45

  GaN 車載應(yīng)用

  
• 人形機(jī)器人中的電機(jī)控制

  制造業(yè)和服務(wù)行業(yè)對(duì)更高自動(dòng)化水平的需求不斷增長(zhǎng)，推動(dòng)了人形機(jī)器人的開發(fā)。人形機(jī)器人變得更加復(fù)雜和精確，自由度 (DOF) 變得更高，并且對(duì)周圍環(huán)境的響應(yīng)時(shí)間（按毫秒計(jì)）縮短，從而能更好地模人形類的動(dòng)作。圖 1 展示了人形機(jī)器人的典型電機(jī)和運(yùn)動(dòng)功能。 圖 1. 顯示人形機(jī)器人 DOF 變得更高的位置 具有更高的 DOF 意味著人形機(jī)器人需要更多的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。機(jī)器人設(shè)計(jì)中的驅(qū)動(dòng)器位置決定了不同的驅(qū)動(dòng)器

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  04/21 18:00

  GaN 電機(jī)控制

  
• 意法半導(dǎo)體披露公司全球計(jì)劃細(xì)節(jié),重塑制造布局和調(diào)整全球成本基數(shù)

  服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 披露了全球制造布局重塑計(jì)劃細(xì)節(jié)，進(jìn)一步更新了公司此前發(fā)布的全球計(jì)劃。2024年10月，意法半導(dǎo)體發(fā)布了一項(xiàng)覆蓋全公司的計(jì)劃，擬進(jìn)一步增強(qiáng)企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力，鞏固公司全球半導(dǎo)體龍頭地位，利用公司的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)、大規(guī)模制造等全球戰(zhàn)略資產(chǎn)，保障公司的垂直整合制造 (I

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  04/17 08:03

  意法半導(dǎo)體 GaN

  
• 面向數(shù)據(jù)中心需求，TI推出全新的eFuse和集成式 GaN 功率級(jí)

  在高效的配電系統(tǒng)中，而智能電子保險(xiǎn)絲在其中發(fā)揮了重要作用。以往，工程師會(huì)采用分立式熱插拔控制器加上外部場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的傳統(tǒng)保護(hù)方案，然而這種方案下，由于漏電導(dǎo)通電阻(RDS (ON))、PCB 走線電阻和比較器閾值不匹配的問題，會(huì)給電子保險(xiǎn)絲的傳統(tǒng)并聯(lián)運(yùn)行帶來巨大挑戰(zhàn)，這些不匹配會(huì)導(dǎo)致電子保險(xiǎn)絲之間的電流共享不均（某些電子保險(xiǎn)絲承載的電流比其他電子保險(xiǎn)絲多），且通常會(huì)導(dǎo)致各個(gè)電子保險(xiǎn)絲過早跳閘，即使系統(tǒng)總電流低于跳閘閾值也是如此。因此，為了減少因這種誤跳閘帶來的系統(tǒng)關(guān)斷、運(yùn)行效率低下等問題，這種分立方案的設(shè)計(jì)功率一般只能達(dá)到4kW。

  夏珍

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  04/10 14:41

  與非觀察 GaN

  
• 美媒熱炒：洛馬最新GaN雷達(dá)真能“鎖定”殲20？

  近日，一則軍事新聞引發(fā)國際關(guān)注：當(dāng)?shù)貢r(shí)間4月7日，美國軍工巨頭洛克希德·馬丁向美國空軍交付首套L波段的TPY-4氮化鎵（GaN）有源相控陣?yán)走_(dá)。據(jù)其發(fā)布的宣傳片宣稱，該型號(hào)AESA雷達(dá)能夠有效探測(cè)中國殲20等第五代隱形戰(zhàn)斗機(jī)。美國有線電視新聞網(wǎng)（CNN）等美媒也對(duì)此事大肆渲染，似乎在為美國的軍事優(yōu)勢(shì)搖旗吶喊。

  射頻學(xué)堂

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  04/10 08:45

  GaN 雷達(dá)
• 德州儀器推出新款電源管理芯片，可提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的保護(hù)級(jí)別、功率密度和效率水平

  德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）于今日推出新款電源管理芯片，以滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心快速增長(zhǎng)的電源需求。隨著高性能計(jì)算和人工智能 (AI) 的采用率越來越高，數(shù)據(jù)中心需要更高功率密度和更高效的解決方案。德州儀器發(fā)布的新款 TPS1685 是具有電源路徑保護(hù)的 48V 集成式熱插拔電子保險(xiǎn)絲，可幫助客戶滿足數(shù)據(jù)中心硬件和處理需求。為了簡(jiǎn)化數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)，德州儀器還推出了采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) TOLL

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  04/09 07:20

  GaN 德州儀器

  
• 淺析GAN氮化鎵功放在5G中的作用

  對(duì)功率放大器（PA）進(jìn)行恰當(dāng)?shù)拈_發(fā)、驗(yàn)證和特性分析十分重要，因?yàn)楣β史糯笃魍ǔＴ诎l(fā)射設(shè)備的功耗中占很大比例。在大多數(shù)芯片組和組件中，硅已被證明是一種可靠、經(jīng)濟(jì)高效且易于制造的材料。然而，隨著世界越來越朝著數(shù)字化、互聯(lián)互通且以設(shè)備為主導(dǎo)的生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展，對(duì)更高性能、更高吞吐量和更高效率的需求也在增加。

  通信射頻老兵

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  03/31 11:00

  5G 功率放大器

  
• 英飛凌高管專訪：詳解GaN/SiC/AI/機(jī)器人布局與中國本土化發(fā)展！

  今年3月中旬，英飛凌在深圳召開了?“2025?英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)”。期間，英飛凌科技全球高級(jí)副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉，英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場(chǎng)營銷負(fù)責(zé)人劉偉接受了包括芯智訊的專訪，介紹了英飛凌在氮化鎵、碳化硅、AI、機(jī)器人等領(lǐng)域的布局，以及英飛凌的在中國的本土化發(fā)展。

  芯智訊

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  03/31 10:50

  AI SiC

  
• 馬自達(dá)與羅姆開始聯(lián)合開發(fā)采用下一代半導(dǎo)體的汽車零部件

  Mazda Motor Corporation（以下簡(jiǎn)稱“馬自達(dá)”）與ROHM Co., Ltd.（以下簡(jiǎn)稱“羅姆”）開始聯(lián)合開發(fā)采用下一代半導(dǎo)體技術(shù)——氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的汽車零部件。 （左）馬自達(dá)董事、專務(wù)執(zhí)行官兼CTO 廣瀨一郎／（右）羅姆董事、專務(wù)執(zhí)行官 東克己 馬自達(dá)與羅姆自2022年起，在“針對(duì)電驅(qū)動(dòng)單元的開發(fā)與生產(chǎn)合作體系”中，一直在推進(jìn)搭載碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的逆變器

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  03/28 08:56

  電動(dòng)汽車 GaN

  
• 良率超99%！國產(chǎn)8英寸GaN迎來新突破

  近日，九峰山實(shí)驗(yàn)室科研團(tuán)隊(duì)在全球首次實(shí)現(xiàn)8英寸硅基氮極性氮化鎵高電子遷移率材料的制備，在高頻、高功率器件等領(lǐng)域，有望為前沿技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化落地提供有力支撐：

  行家說三代半

  924

  03/25 08:30

  GaN 氮化鎵

  
• GaN新技術(shù)！英諾賽科、納微、英飛凌等放大招

  近期，英諾賽科、納微半導(dǎo)體、英飛凌等企業(yè)公布了單片集成、雙向開關(guān)等氮化鎵產(chǎn)品&平臺(tái)，在產(chǎn)品成本、性能等方面實(shí)現(xiàn)了新的突破：

  行家說三代半

  904

  03/21 09:30

  GaN 氮化鎵

  
• 開關(guān)模式電源開始采用GaN開關(guān)

  作者：Frederik Dostal，電源管理專家 摘要 在開關(guān)模式電源中使用GaN開關(guān)是一種相對(duì)較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準(zhǔn)備情況，提到了所面臨的挑戰(zhàn)，并展望了GaN作為硅的替代方案在開關(guān)模式電源中的未來前景。 如今，電源管理設(shè)計(jì)工程師常常會(huì)問道： 現(xiàn)在應(yīng)該從硅基功率開關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開關(guān)了嗎？ 氮化鎵(GaN)技術(shù)相比傳統(tǒng)硅基MOSFET有許多優(yōu)勢(shì)

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  03/19 10:33

  ADI GaN

  
• 華潤(rùn)微發(fā)力，GaN項(xiàng)目5月將投產(chǎn)

  3月18日，據(jù)海創(chuàng)集團(tuán)官微發(fā)布消息，由海創(chuàng)集團(tuán)與潤(rùn)新微電子公司共同投資建設(shè)的潤(rùn)新微電子外延片生產(chǎn)基地項(xiàng)目已經(jīng)復(fù)工建設(shè)。

  行家說三代半

  1028

  03/19 09:50

  GaN 華潤(rùn)微電子

  
• 合計(jì)超5億元！4家GaN企業(yè)獲得融資

  近期，國內(nèi)外GaN產(chǎn)業(yè)融資加速，又有4家企業(yè)獲得融資，其中包括氮矽科技、Emtar、CGD、佛蒙特州科技中心。2月18日，據(jù)外媒EE NEWS報(bào)道，劍橋 GaN Devices (CGD) 已完成 3200 萬美元（約2.3億元人民幣）的 C 輪融資。該項(xiàng)投資由戰(zhàn)略投資者領(lǐng)投，英國耐心資本參與。

  行家說三代半

  950

  03/12 08:37

  GaN

  
• CGD發(fā)佈突破性100kW+技術(shù)，推動(dòng)氮化鎵（GaN）進(jìn)軍超100億美元電動(dòng)汽車逆變器市場(chǎng)

  無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司Cambridge GaN Devices (CGD)專注於開發(fā)高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力於簡(jiǎn)化綠色電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和實(shí)施。近日，CGD進(jìn)一步公佈了關(guān)於ICeGaN? GaN 技術(shù)解決方案的詳情，該方案將助力公司進(jìn)軍功率超過100kW的電動(dòng)汽車動(dòng)力總成應(yīng)用市場(chǎng)，這一市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)超過100億美元。Combo ICeGaN?通過將智慧ICeGaN HEMT IC與IG

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  03/12 08:17

  SiC GaN

  
• 無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司CGD獲3,200萬美元融資，推動(dòng)全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 成長(zhǎng)

  無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司Cambridge GaN Devices (CGD)近期成功完成3,200萬美元的C輪融資。本輪融資由策略投資者領(lǐng)投，英國長(zhǎng)期資本（British Patient Capital）參投，並獲得現(xiàn)有投資方Parkwalk、BGF、Cambridge Innovation Capital（CIC）、Foresight Group和IQ Capital的大力支持。 氮化鎵（G

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  556

  03/12 08:17

  SiC GaN

  

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