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MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器電路中VCC電源的去耦電容容值怎么計(jì)算？
在MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器電路中，給VCC電源加去耦電容Decoupling Capacitor，這事兒可不能亂來(lái)。容值咋算，不是拍腦袋的事兒，得看電路需求和實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景。今天就講講咋算VCC去耦電容的容值。

硬件那點(diǎn)事兒

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03/05 15:18

VCC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器
【測(cè)試案例分享】如何評(píng)估熱載流子引導(dǎo)的MOSFET衰退
隨著MOSFET柵極長(zhǎng)度的減小，熱載流子誘發(fā)的退化已成為重要的可靠性問(wèn)題之一。在熱載流子效應(yīng)中，載流子被通道電場(chǎng)加速并被困在氧化物中。這些被捕獲的電荷會(huì)引起測(cè)量器件參數(shù)的時(shí)間相關(guān)位移，例如閾值電壓?(VTH)、跨導(dǎo) (GM)以及線性 (IDLIN) 和飽和 (IDSAT) 漏極電流。隨著時(shí)間的推移，可能會(huì)發(fā)生實(shí)質(zhì)性的器件參數(shù)退化，從而導(dǎo)致器件失效。用于測(cè)量HCI的儀器必須提供以下三個(gè)關(guān)鍵功能：自

與非網(wǎng)編輯

3223

2024/09/19

軟件編輯器
替代 LMG1210 60V半橋MOSFET和GaN FET驅(qū)動(dòng)器
產(chǎn)品特性（替代LMG1210） ? 工作頻率高達(dá) 10MHz ? 20ns 典型傳播延遲 ? 5ns 高側(cè)/低側(cè)匹配 ? 兩種輸入控制模式 ? 具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間的單個(gè) PWM 輸入、獨(dú)立輸入模式 ? 1.5A 峰值拉電流和 3A 峰值灌電流 ? 內(nèi)置 5V LDO ? 欠壓保護(hù) ? 過(guò)熱保護(hù) ? 總劑量（TID）耐受： ≥100k rad(si) ? 單粒子鎖定及燒毀對(duì)線性能量傳輸（LET）的抗

集芯微電科技

1142

2024/06/11

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
新型驅(qū)動(dòng)器可提供量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)序，將開(kāi)關(guān)損耗降至最低，并增強(qiáng)dV/dt抗擾性能 Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGB

與非網(wǎng)編輯

1171

2024/05/22

電動(dòng)汽車(chē) 電路設(shè)計(jì)
替代TPS2H160BQPWPRQ1智能高側(cè)開(kāi)關(guān)芯片
PC8916是雙通道、高功率具有集成NMOS功率FET的開(kāi)關(guān)，以及電荷泵。該設(shè)備集成了高級(jí)保護(hù)功能，例如負(fù)載電流限制，通過(guò)功率限制進(jìn)行過(guò)載主動(dòng)管理帶可配置閉鎖的超溫停機(jī)。

集芯微電科技

1716

2024/03/05

高邊開(kāi)關(guān) MOSFET驅(qū)動(dòng)器

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