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MRAM

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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。收起

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  • 從閃存到MRAM：滿足現(xiàn)代FPGA配置的需求
    在技術飛速發(fā)展的今天，新興的航空電子、關鍵基礎設施和汽車應用正在重新定義人們對現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來存儲配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應用；然而，隨著技術的進步以及對更高可靠性和性能的需求增加，人們需要更多樣化的配置存儲選項。這種轉變的催化劑在于應用和行業(yè)的不同需求，它們目前正不斷突破FPGA應用的極限，要求在數(shù)據(jù)完整性、系統(tǒng)耐用性和運行效率等
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    02/24 08:09
    從閃存到MRAM：滿足現(xiàn)代FPGA配置的需求
  • 這個30億元的MRAM項目順利封頂，存儲項目多點開花
    半導體產業(yè)日新月異，存儲芯片領域始終是技術角逐與產業(yè)革新的關鍵戰(zhàn)場。近期，致真存儲30億元MRAM項目順利封頂，行業(yè)內多個存儲項目你追我趕，多點開花。華為在存儲設備采購項目中標，晶存科技穩(wěn)步擴張，佰維存儲以及美光的項目也即將投產...
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  • MRAM，新興的黑馬
    1956 年，IBM推出世界上第一個硬盤驅動器——RAMAC 305，可以存儲 5MB 的數(shù)據(jù)，傳輸速度為 10K/s。雖然這款硬盤體積巨大如同兩臺冰箱，重量超過一噸，但是卻標志著磁盤存儲時代的開始。
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  • 北京航空航天大學副校長趙巍勝：MRAM最新進展及未來發(fā)展趨勢
    近日，北京航空航天大學黨委常委、副校長趙巍勝，分享了MRAM最新進展及未來發(fā)展趨勢。MRAM的前身是磁存儲，其是人工智能時代的根技術，如今數(shù)據(jù)中心中有70%以上的數(shù)據(jù)依舊保存其中。十年前就有不少專家認為未來磁存儲將被SSD完全取代，然而十年后，磁存儲依舊是最重要的存儲技術。
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  • 下一個“黑馬”賽道，MRAM存儲器市場蠢蠢欲動
    據(jù)日經新聞網報道，近期晶圓代工廠商力積電（PSMC）傳出將和日本新創(chuàng)企業(yè)合作，目標在2029年量產MRAM，將利用力積電計劃在日本興建的晶圓廠第2期工程產線進行量產。根據(jù)報道，東北大學長年來持續(xù)研究MRAM，而PowerSpin將提供MRAM IP給力積電，力積電在推動研究、試產后，目標在2029年開始進行量產，期待可應用于生成式AI數(shù)據(jù)中心。
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