• 英飛凌推出PQFN 封裝、雙面散熱、25-150V OptiMOS?源極底置功率MOSFET

  未來電力電子系統(tǒng)的設(shè)計將持續(xù)推進，以實現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢，英飛凌科技有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋25-150 V，并且有底部散熱（BSC）和雙面散熱（DSC）兩種不同的結(jié)構(gòu)。該新產(chǎn)品系列在半導(dǎo)體器件級層面做出了重要的性能改進，為DC-DC功率轉(zhuǎn)

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  2023/01/13

  英飛凌 pcb
• 英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET，樹立技術(shù)新標(biāo)準(zhǔn)

  英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列，旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

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  191

  2022/03/14

  英飛凌 MOSFET

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