AEIF 2025 5.14-5.15 @上海 筑產(chǎn)業(yè)生態(tài) 與機(jī)遇同行 5月14日-15日，由中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新聯(lián)盟、中國(guó)汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、上海市汽車工程學(xué)會(huì)聯(lián)合主辦的第十二屆汽車電子創(chuàng)新大會(huì)暨汽車芯片產(chǎn)業(yè)生態(tài)發(fā)展論壇（AEIF 2025）在上海成功召開！ 大會(huì)以“筑產(chǎn)業(yè)生態(tài) 與機(jī)遇同行”為主題，圍繞汽車前沿性、關(guān)鍵性和顛覆性技術(shù)突破，邀請(qǐng)行業(yè)重磅專家、學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖分享汽車電子產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)

1. 什么是SOI技術(shù)？SOI（Silicon-On-Insulator）是一種半導(dǎo)體制造技術(shù)，其中硅晶圓的一部分被絕緣層（通常是二氧化硅）隔離開來，這樣可以有效地減少寄生電容和漏電流，提升器件性能。

由于半導(dǎo)體發(fā)展趨勢(shì)，在相同晶圓面積下填入更多晶體管，勢(shì)必使線寬逐漸微縮，但尺寸微縮卻有限制，其閘極線寬極限約在3～5nm間(線寬愈小則電阻值愈大)，使得科學(xué)家試圖找尋在不微縮線寬尺寸下，如何以相同的制程方式提升元件效率，突破摩爾定律限制，而SOI(Silicon on Insulator)硅晶絕緣體技術(shù)，即為解決方法之一。

硅片是半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)，絕大多數(shù)的芯片都是在硅片上制造的。SOI（silicon on insulator?）利用絕緣層將單晶硅薄膜與單晶硅片隔離開來。與單晶硅片相比，SOI可以減少寄生電容，漏電流等，是一項(xiàng)比較前沿的技術(shù)。

SEMI（國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）旗下的技術(shù)社區(qū) SEMI SOI 國(guó)際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（SOIIC）正式宣布新任領(lǐng)導(dǎo)層和理事會(huì)成員。此外，SEMI SOI 國(guó)際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟還公布了即將舉行的最新 SOI 相關(guān)活動(dòng)，活動(dòng)主要面向芯片設(shè)計(jì)和開發(fā)者，以及 SOI 生態(tài)中的材料及設(shè)備廠商。 Soitec 現(xiàn)場(chǎng)技術(shù)負(fù)責(zé)人 Patrick Martin 先生當(dāng)選為 SEMI SOI 國(guó)際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟主席；格芯產(chǎn)品管理副總裁 J